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WST02P06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST02P06 SOT-23-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST02P06

WST02P06概述


    产品简介


    WST02P06是一款高性能的P沟道MOSFET晶体管,采用先进的高密度槽式工艺制造,具备超低栅极电荷和优秀的CdV/dt效应衰减性能。该器件适用于高频点对点同步电源转换、小型电源开关和负载开关等应用,尤其适合移动计算(如MB/NB/UMPC/VGA)和网络直流-直流电源系统。

    技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | -60 V |
    | VGS | 栅源电压 | ±20 V |
    | ID@TA=25℃ | 连续漏极电流,-VGS @ -10V | -2.8 A |
    | ID@TA=70℃ | 连续漏极电流,-VGS @ -10V | -1.8 A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 -8.4 | A |
    | PD@TC=25℃ | 总功率耗散 1.5 | W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 150 | ℃ |
    | RθJA | 热阻结-环境 125 | ℃/W |
    | RθJC | 热阻结-壳 80 | ℃/W |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | -60 V |
    | RDSON | 静态漏源导通电阻 165 | 200 | mΩ |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | -1.1 | -1.7 | -2.5 | V |
    | Qg | 总栅极电荷 4.6 nC |

    产品特点和优势


    1. 高级高密度槽式技术:显著提高单元密度,降低漏源导通电阻RDSON。
    2. 超低栅极电荷:降低驱动功率损耗,提升开关效率。
    3. 优秀的CdV/dt效应衰减:降低开关瞬态影响。
    4. 100% EAS保证:确保最高可靠性。
    5. 绿色环保装置:符合RoHS和无铅标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 移动计算设备:用于MB/NB/UMPC/VGA的小型电源转换和负载开关。
    - 网络直流-直流电源系统:在需要高效能和可靠性的环境中使用。
    使用建议
    - 在设计电路时,应注意散热问题,合理选择散热材料以避免过热导致的失效。
    - 确保电路布局合理,减少寄生电容和电感的影响,提高开关速度和稳定性。

    兼容性和支持


    - 该产品具有良好的通用性,适用于多种应用场景。
    - 厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括安装指导和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良导致过热 | 使用更大散热片或加强散热措施 |
    | 开关频率不稳定 | 检查电路连接,确保供电稳定 |
    | 导通电阻异常 | 重新焊接或更换新器件 |

    总结和推荐


    WST02P06作为一款高性能的P沟道MOSFET,具有极高的可靠性和高效的性能表现。它的广泛应用和出色的兼容性使其成为许多应用场景的理想选择。建议在设计时考虑散热因素,确保其长期稳定运行。强烈推荐使用WST02P06来满足各种高要求的应用需求。

WST02P06参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-23-3L

WST02P06数据手册

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WST02P06封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.4851
9000+ ¥ 0.4706
15000+ ¥ 0.4565
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