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WST6402

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST6402 SOT-23L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST6402

WST6402概述

    WST6402 P-Ch MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WST6402 是一款高性能的沟槽式 P 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度。它特别适用于高频率点对点同步降压转换器、网络直流到直流电源系统及负载开关等应用。该产品符合 RoHS 和绿色环保标准,并通过了全面的功能可靠性测试。

    技术参数


    - 电气参数
    - 漏源电压(VDS):-20V
    - 栅源电压(VGS):±12V
    - 连续漏电流(ID):
    - 在 25℃ 下:-4.4A
    - 在 70℃ 下:-2.8A
    - 脉冲漏电流(IDM):-14A
    - 总功耗(PD):1W
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C 到 150°C
    - 工作结温范围(TJ):-55°C 到 150°C
    - 热阻(RθJA):125°C/W
    - 热阻(RθJC):80°C/W
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS=-4.5V 时:50mΩ
    - VGS=-2.5V 时:73mΩ
    - 特征参数
    - 击穿电压(BVDSS):-20V
    - 前向转移电导(gfs):12.8S
    - 总栅极电荷(Qg):10.2nC
    - 上升时间(Tr):40.8ns

    产品特点和优势


    - 高级高密度单元技术:采用了先进的高密度单元技术,提供卓越的性能。
    - 超低栅极电荷:有助于降低整体功耗。
    - 优异的 Cdv/dt 效应衰减:提升了系统的稳定性和响应速度。
    - 绿色环保装置:符合环保标准,适用于多种工业和商业环境。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 高频点对点同步降压转换器:适合用于移动设备、笔记本电脑及微型计算机系统。
    - 网络直流到直流电源系统:应用于数据中心和其他大型设备。
    - 负载开关:适用于各种电源管理和分配系统。
    - 使用建议
    - 在设计应用时,确保充分考虑散热问题,特别是在高温环境下使用时,需要选用适当的散热措施。
    - 确保在规定的电压范围内操作,以避免过载和潜在的损坏。

    兼容性和支持


    - 该产品与其他主流电子元器件高度兼容,适用于各种现有的电路设计。
    - 厂商提供了详细的技术支持文档和维护指南,客户可以随时咨询技术专家解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何处理过热问题?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用散热片或风扇进行辅助冷却。
    - 问题2:栅极电荷过高怎么办?
    - 解决方案:检查外围电路设计,减少栅极驱动电阻,以降低电荷量。

    总结和推荐


    WST6402 P-Ch MOSFET 在多项关键指标上表现出色,特别是其低电阻、高密度单元技术和优秀的热管理能力,使其成为高可靠性和高性能应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和技术人员。

WST6402参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 SOT-23N

WST6402数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST6402 WST6402数据手册

WST6402封装设计

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