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WSR25N20G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSR25N20G TO-220-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR25N20G

WSR25N20G概述

    电子元器件产品技术手册:WSR25N20G N-Ch MOSFET

    1. 产品简介


    WSR25N20G 是一款高性能的沟槽N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Ch MOSFET)。它适用于高频点对点同步降压转换器、网络DC-DC电源系统以及负载开关等领域。WSR25N20G具有极高的单元密度,提供出色的RDSON(导通电阻)和栅极电荷,适用于各种同步降压转换器应用。该产品符合RoHS和绿色产品要求,并通过全功能可靠性验证。

    2. 技术参数


    以下是WSR25N20G的主要技术规格和性能参数:
    - VDS(漏源电压):200 V
    - VGS(栅源电压):±20 V
    - ID@TC=25℃(连续漏电流,VGS @ 10V):36 A
    - ID@TC=100℃(连续漏电流,VGS @ 10V):25 A
    - IDM(脉冲漏电流):150 A
    - EAS(单脉冲雪崩能量):273 mJ
    - PD(总功耗):90 W
    - TSTG(存储温度范围):-55 至 175 ℃
    - TJ(工作结温范围):-55 至 175 ℃
    - RθJA(结到环境热阻):1 至 62 ℃/W
    - RθJC(结到外壳热阻):0.83 ℃/W
    - BVDSS(漏源击穿电压):200 V
    - △BVDSS/△TJ(漏源击穿电压温度系数):0.098 V/℃
    - 静态漏源导通电阻(VGS=10V,ID=15A):57 至 68 mΩ
    - VGS(th)(栅阈值电压):3.0 至 5.0 V
    - △VGS(th)(栅阈值电压温度系数):-4.57 mV/℃
    - IDSS(漏源泄漏电流):1 μA(最大)
    - IGSS(栅源泄漏电流):±100 nA(最大)
    - gfs(正向跨导):32 S
    - Qg(总栅极电荷):53 nC
    - Qgs(栅源电荷):11 nC
    - Qgd(栅漏电荷):15 nC
    - Td(on)(开通延迟时间):30 ns
    - Tr(上升时间):20 ns
    - Td(off)(关断延迟时间):21 ns
    - Tf(下降时间):31 ns
    - Ciss(输入电容):2445 pF
    - Coss(输出电容):129 pF
    - Crss(反向转移电容):24 pF

    3. 产品特点和优势


    WSR25N20G 具有以下特点和优势:
    - 高级高密度沟槽技术:提供极高的单元密度,提升性能和效率。
    - 超低栅极电荷:减少开关损耗,提高整体效率。
    - 出色的Cdv/dt效应下降:提高可靠性,减少电磁干扰。
    - 绿色环保装置:符合RoHS和绿色产品标准,环保安全。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高频点对点同步降压转换器
    - 网络DC-DC电源系统
    - 负载开关
    使用建议:
    - 在使用时应确保工作温度在规定的范围内(-55至175℃),以避免过热损坏。
    - 考虑到总功耗为90 W,需要合理散热设计,确保长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WSR20N20G 可与大多数标准接口兼容,适合多种电路设计。
    - 支持:厂商提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户进行安装和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品无法正常工作。
    - 解决方案:检查连接是否正确,确认电源电压在规定范围内,确保所有引脚无短路或断路现象。

    - 问题2:产品过热。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,确保安装在合适的散热器上,并避免长时间大电流工作。

    7. 总结和推荐


    总结:WSR25N20G 是一款高性能、高可靠性的N通道MOSFET,具有优秀的导通电阻和栅极电荷特性,适用于高频和高效的应用场合。其优异的热管理和电气特性使其在多种工业和消费电子产品中表现出色。
    推荐:鉴于其卓越的性能和广泛的应用领域,强烈推荐使用WSR25N20G,特别是对于需要高频率、高可靠性和高效率的应用场景。

WSR25N20G参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F

WSR25N20G数据手册

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WSR25N20G封装设计

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