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WSF4012B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSF4012B TO-252-4L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF4012B

WSF4012B概述

    # WSF4012B N-Ch and P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSF4012B 是一款高密度沟槽结构的 N-通道和 P-通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于高频同步降压转换器和网络直流-直流电源系统。它具有极高的单元密度,能够提供优异的 RDS(ON) 和栅极电荷,特别适合于便携式计算机(MB/NB/UMPC)、视频图形阵列(VGA)等应用场合。此外,该产品符合 RoHS 和绿色环保标准,提供 100% EAS 保证。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS (漏源电压) | 40 | -40 V |
    | VGS (栅源电压) | ±20 | ±20 V |
    | ID (连续漏电流, VGS=10V)| 28 | -20 A |
    | IDM (脉冲漏电流) | 46 | -40 A |
    | PD (总功率耗散) | 25 | 31.3 W |
    | TSTG (存储温度范围) | -55 | 150 | ℃ |
    | TJ (工作结温范围) | -55 | 150 | ℃ |
    | RθJA (热阻, 结到环境) 1 | 62 | ℃/W |
    | RθJC (热阻, 结到外壳) 5 | ℃/W |
    特性
    - 极高单元密度的先进沟槽技术
    - 超低栅极电荷
    - 优秀的 CdV/dt 效应衰减
    - 100% EAS 保证
    - 绿色环保设备可用

    产品特点和优势


    WSF4012B 的主要优势在于其出色的 RDS(ON) 和栅极电荷性能,这使得它在高频同步降压转换器和其他高频率应用中表现卓越。它能够处理高电流和电压,同时保持较低的功率损耗,这对于需要高效能源管理的应用非常关键。此外,其 100% EAS 保证使其在各种极端条件下都能可靠运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高频点对点同步降压转换器:适用于便携式计算机和视频显示设备。
    - 网络直流-直流电源系统:适用于大型数据中心和网络基础设施。
    - CCFL 背光逆变器:适用于液晶显示器和电视背光应用。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,应注意散热设计,以避免结温过高。
    - 配合外部散热器使用,可以显著降低热阻,提高可靠性。
    - 由于具有较高的峰值电流能力,应在电路设计中注意保护措施,如限流电阻。

    兼容性和支持


    - 该产品可与其他标准 MOSFET 引脚兼容,便于现有系统的升级和替换。
    - 厂商提供全面的技术支持,包括详细的使用指南和故障排除手册。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下的性能下降 | 使用外部散热器,降低热阻 |
    | 开关损耗高 | 选择更合适的栅极驱动器 |
    | 峰值电流限制 | 使用电流传感器并调整限流设置 |

    总结和推荐


    综上所述,WSF4012B 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,适用于多种高频应用。其出色的 RDS(ON) 和栅极电荷性能、卓越的温度稳定性以及全面的支持和服务,使其成为市场上同类产品的优秀选择。强烈推荐在需要高效能源管理和高可靠性要求的项目中使用 WSF4012B。
    希望这篇手册能帮助您更好地了解 WSF4012B 的特性和应用。如有任何疑问,请随时联系技术支持团队。

WSF4012B参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252-4L

WSF4012B数据手册

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WSF4012B封装设计

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