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WSD75N12GDN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSD75N12GDN56 DFN5X6-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD75N12GDN56

WSD75N12GDN56概述

    WSD75N12GDN56 电子元器件技术手册

    1. 产品简介


    WSD75N12GDN56 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用了Super Trench技术。这种技术优化了高频率开关性能,使得传导和开关损耗都极低,适合于高频开关和同步整流应用。WSD75N12GDN56的主要功能是实现高效的电力转换和控制,特别适用于DC/DC转换器和负载开关。

    2. 技术参数


    以下是WSD75N12GDN56的关键技术参数和电气特性:
    - 最大额定值
    - VDSS(漏源电压): 120V
    - ID(连续漏极电流): 75A (Tc=25℃), 70A (Tc=70℃)
    - IDM(脉冲漏极电流): 320A
    - IAR(单脉冲雪崩电流): 40A
    - EAS(单脉冲雪崩能量): 240mJ
    - PD(功率耗散): 125W
    - TJ/Tstg(工作结温和存储温度范围): -55°C 至 150°C
    - TL(焊接最高温度): 260°C
    - 电气特性(TJ=25°C)
    - VDSS(漏源击穿电压): 120V
    - IDSS(漏极泄漏电流): <1µA
    - IGSS(F)(正向门极泄漏电流): <100nA
    - IGSS(R)(反向门极泄漏电流): <100nA
    - VGS(TH)(门限电压): 2.5V至3.5V
    - RDS(ON)(漏源导通电阻): 6.0mΩ(典型)
    - gFS(转移电导): 130S
    - Ciss(输入电容): 4282pF
    - Coss(输出电容): 429pF
    - Crss(转移电容): 17pF
    - td(ON)(导通延迟时间): 20ns
    - tr(上升时间): 11ns
    - td(OFF)(关断延迟时间): 55ns
    - tf(下降时间): 28ns
    - Qg(总栅极电荷): 61.4nC
    - Qgs(栅源电荷): 17.4nC
    - Qgd(栅漏电荷): 14.1nC
    - trr(反向恢复时间): 100ns
    - Qrr(反向恢复电荷): 250nC

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:WSD75N12GDN56采用Super Trench技术,具有极低的RDS(ON)和Qg,这使其成为高效的高频开关应用的理想选择。
    - 低功耗:由于出色的FOM(图腾乘积),WSD75N12GDN56在开关过程中能显著减少功率损耗。
    - 高可靠性:通过100% UIS测试,确保了该产品的耐用性和可靠性。
    - 宽温度范围:能够在-55°C至150°C的工作温度范围内稳定运行,适用于恶劣环境。
    - 环保材料:采用无铅镀层,符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC/DC转换器:WSD75N12GDN56可以在多种DC/DC转换器中使用,尤其是在需要高效率和小体积的应用中。
    - 负载开关:可用于高功率负载的切换,提供快速可靠的切换性能。
    使用建议:
    - 散热设计:由于其较高的功率耗散能力,良好的散热设计是非常重要的。可以考虑使用散热片或散热器来提高散热效率。
    - 电路布局:在电路设计时,注意短距离连接以减小寄生电感,特别是栅极回路和电源回路。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WSD75N12GDN56可以直接替代其他品牌的N沟道MOSFET,适用于广泛的应用场景。
    - 支持服务:Winsok公司提供技术支持和维修服务,确保用户能够顺利使用和维护产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:高温环境下运行时,功率耗散过大导致温度过高。
    - 解决方案:改善散热措施,如增加散热片或使用更高效的散热系统。
    - 问题2:电路中出现异常开关现象。
    - 解决方案:检查电路布局,尤其是栅极回路和电源回路的设计,确保没有过多的寄生电感。

    7. 总结和推荐


    综合评估:WSD75N12GDN56作为一款高性能的N沟道MOSFET,具备优异的电气特性和可靠性,适用于各种高要求的应用场景。其低功耗和高效率的特点使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐:对于需要高性能、高可靠性的电力转换和控制系统,WSD75N12GDN56是一个值得推荐的选择。

WSD75N12GDN56参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
通用封装 DFN5X6-8L

WSD75N12GDN56数据手册

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WSD75N12GDN56封装设计

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