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WSP08N15

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSP08N15 SOP-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP08N15

WSP08N15概述

    WSP08N15 N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSP08N15 是一款先进的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Ch MOSFET),采用先进的高密度沟槽技术制造。这款MOSFET在同步降压转换器应用中表现出色,具备极低的导通电阻(RDSON)和门电荷,适用于多种电力管理应用。
    主要应用领域包括:
    - Boost转换器中的电源管理
    - SMPS中的同步整流器
    - LED背光照明

    2. 技术参数


    以下是根据技术手册中提取的主要技术参数:
    | 参数 | 规格 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 150 | V |
    | 栅源电压(VGS) | ±25 | V |
    | 连续漏电流(ID)@TA=25℃ | 8.0 | A |
    | 连续漏电流(ID)@TA=70℃ | 5.4 | A |
    | 脉冲漏电流(IDM) | 45 | A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 40 | mJ |
    | 总功耗(PD)@TA=25℃ | 2.5 | W |
    | 存储温度范围(TSTG) | -55 to 150 | ℃ |
    | 工作结温范围(TJ) | -55 to 150 | ℃ |
    | 热阻(RθJA) | 46 | ℃/W |
    | 热阻(RθJC) | 24 | ℃/W |
    静态漏源导通电阻(RDS(ON)):
    - 在VGS=10V时为43mΩ(对应ID=8A)
    - 在VGS=4.5V时(数据未提供)
    其他关键参数:
    - 漏源击穿电压(BVDSS):150V
    - 门阈值电压(VGS(th)):1.2V至2.5V
    - 前向传输增益(gfs):25S
    - 总门电荷(Qg):24nC至32nC
    - 输入电容(Ciss):1210pF

    3. 产品特点和优势


    WSP08N15 具备以下显著特点和优势:
    - 先进的高密度沟槽技术:提供更高的效率和更低的损耗。
    - 超低门电荷:提高开关速度,降低功率损耗。
    - 优秀的Cdv/dt效应下降:减少寄生效应,提升系统可靠性。
    - 符合RoHS和绿色产品要求:环保且无卤素,适合广泛的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - Boost转换器中的电源管理:提高系统整体能效,降低发热。
    - SMPS中的同步整流器:减小损耗,提高稳定性。
    - LED背光照明:控制精度高,反应迅速。
    使用建议:
    - 确保散热良好:通过良好的散热设计(如增加散热片或风扇)避免过热。
    - 合理选择驱动电路:使用适当的栅极电阻以控制开关速度。
    - 注意门限电压的选择:根据具体应用选择合适的VGS范围,确保安全可靠运行。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - WSP08N15可以与其他标准封装的MOSFET兼容,易于替换现有设计中的旧型号。
    支持和服务:
    - 技术支持:Winsok提供专业的技术支持服务,帮助解决设计过程中的问题。
    - 保修政策:详细的保修条款可以在Winsok官方网站上查阅。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及其解决方法:
    - 问题: 开关过程中出现过高的损耗。
    - 解决方案: 适当增加散热措施,确保结温不超过最大额定值。检查驱动电路是否正常工作,必要时调整栅极电阻。

    - 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 确认电源电压稳定,调整栅极驱动电路以优化开关频率。

    7. 总结和推荐


    总结:
    WSP08N15 N-Ch MOSFET 以其出色的性能和多功能性在电力管理和驱动应用中表现优异。它具备高密度沟槽技术和极低的导通电阻,适合用于高效率和高可靠性的应用场合。
    推荐:
    对于需要高性能和高可靠性的电源管理应用,WSP08N15是一款值得推荐的产品。只要在设计和使用过程中遵循建议,这款MOSFET将能够显著提升系统的整体性能。

WSP08N15参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOP-8

WSP08N15数据手册

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WSP08N15封装设计

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