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WSF09N20G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSF09N20G TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF09N20G

WSF09N20G概述


    产品简介


    WSF09N20G 是一款高密度沟槽型 N 沟道 MOSFET,广泛应用于高频点对点同步降压转换器、网络直流-直流电源系统以及负载开关等领域。 该产品采用先进的高密度沟槽技术,具有极低的栅极电荷、优秀的 Cdv/dt 效应下降性能以及环保设计,满足 RoHS 和绿色产品要求。100% 的单脉冲雪崩能量保证及全功能可靠性测试,使其在各种严苛环境下都能可靠运行。

    技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 200 | V |
    | VGS | 栅源电压 | -20 20 | V |
    | ID | 连续漏电流 9 A |
    | IDM | 脉冲漏电流 36 | A |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 320 mJ |
    | PD | 总功耗 83 W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 150 | ℃ |
    | RθJA | 热阻结-环境 | 1 30 | ℃/W |
    | RθJC | 热阻结-壳体 | 1 1.6 | ℃/W |

    产品特点和优势


    WSF09N20G 主要特点包括:
    1. 高密度沟槽技术:提供更紧凑的结构,增强的性能和可靠性。
    2. 超低栅极电荷:降低开关损耗,提高效率。
    3. 优秀的 Cdv/dt 效应下降:提升系统响应速度,减少电磁干扰。
    4. 环保设计:符合 RoHS 和绿色产品标准,无卤素材料。
    5. 100% 雪崩能量保证:确保在极端条件下也能稳定运行。
    6. 出色的热性能:低热阻设计,适用于高功率应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 高频点对点同步降压转换器:WSF09N20G 可以有效提高转换效率,减少热量产生,适用于电信设备和数据中心。
    2. 网络直流-直流电源系统:适合用于电信基站和数据中心的高可靠性电源系统。
    3. 负载开关:适用于汽车电子和其他需要频繁开关的应用场合。
    使用建议:
    1. 散热管理:建议使用大面积铜箔板散热,确保良好的热传导性能。
    2. 驱动电路设计:选择合适的栅极电阻(Rg)以优化开关时间,避免过高的栅极电压。
    3. 环境适应性:在极端温度下使用时,需注意监测结温,防止超过最大允许值。

    兼容性和支持


    WSF09N20G 与常见的直流-直流转换器和其他相关电子产品高度兼容。Winsok 提供全面的技术支持,包括产品手册、样本和客户技术支持服务。如果在使用过程中遇到问题,可联系附近的 Winsok 代表寻求帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确保 WSF09N20G 在高温下的稳定运行?
    - 解决方案: 使用高导热性的散热片和风扇辅助散热,确保结温不超过 150℃。
    2. 问题:栅极电压过高是否会损坏 MOSFET?
    - 解决方案: 确保栅极电压在规定范围内,通常为 ±20V,可以通过限流电阻进行保护。
    3. 问题:在高频开关应用中如何减少电磁干扰?
    - 解决方案: 优化电路布局,减小引线长度,并使用屏蔽线缆。增加旁路电容也可以减少电磁干扰。

    总结和推荐


    综合评估:
    WSF09N20G 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有高密度沟槽技术和多项优化特性,适用于多种工业应用。其优秀的热性能和可靠性,使其成为高功率、高频应用的理想选择。强烈推荐使用该产品,特别是在要求高性能和可靠性的场合。
    通过合理的设计和使用建议,WSF09N20G 将能为您的项目带来卓越的性能表现。

WSF09N20G参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252-2

WSF09N20G数据手册

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WSF09N20G封装设计

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