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WSK180N03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2.6mΩ@4.5V,180mA 180A TO-263-2L
供应商型号: WSK180N03 TO-263-2L
供应商: 期货订购
标准整包数: 800
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSK180N03

WSK180N03概述

    WSK180N03 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSK180N03 是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,适用于高频点对点同步降压转换器和网络直流-直流电源系统。该产品符合RoHS和绿色产品标准,提供100%的单脉冲雪崩能量保证,具有全功能可靠性认证。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):
    - 在TC=25°C时:180A
    - 在TC=100°C时:145A
    - 脉冲漏电流 (IDM):500A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):246mJ
    - 雪崩电流 (IAS):70.2A
    - 总功耗 (PD):
    - 在TC=25°C时:187W
    - 在TC=100°C时:90W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55到175°C
    - 工作结温范围 (TJ):-55到175°C
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):
    - 在VGS=10V,ID=30A时:2.0mΩ
    - 在VGS=4.5V,ID=15A时:2.6mΩ

    产品特点和优势


    - 先进高单元密度沟槽技术:提高了产品性能和稳定性。
    - 超低栅极电荷:有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 优秀的CdV/dt效应衰减:减少了开关过程中的电压尖峰,提升了可靠性。
    - 100%雪崩能量保证:确保了产品在极端条件下的稳定性和可靠性。
    - 绿色环保设备:符合RoHS和绿色产品标准。

    应用案例和使用建议


    - 高频点对点同步降压转换器:在高性能通信设备中广泛应用,可实现高效的电压转换。
    - 网络直流-直流电源系统:适合用于数据中心、通信基站等需要高效稳定的电源供应的场合。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,应考虑散热设计,以防止因过热导致的产品损坏。
    - 确保电路设计合理,避免电压尖峰和电流过冲。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSK180N03 与现有的主流电子元器件兼容,可用于多种电源管理解决方案。
    - 支持:Winsok公司提供详细的技术文档和支持服务,确保客户能够快速上手并有效解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品工作时温度过高。
    解决办法:增加散热片或改进散热设计,确保工作温度不超过规定范围。
    2. 问题:电流波动较大。
    解决办法:检查电路连接是否稳固,确保电容和电感元件参数匹配,减少纹波。

    总结和推荐


    WSK180N03是一款高性能的N沟道MOSFET,具有高密度、低功耗和出色的可靠性。其先进的技术特性和广泛的应用范围使其成为高性能电源管理和控制系统中的理想选择。我们强烈推荐使用该产品,特别是在要求高效能和高可靠性的场合。
    通过上述技术参数和特点的分析,WSK180N03 的卓越性能和广泛的适用性使其在市场上具备显著的竞争优势。

WSK180N03参数

参数
Id-连续漏极电流 180A
栅极电荷 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6mΩ@4.5V,180mA
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263-2L

WSK180N03数据手册

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WSK180N03封装设计

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