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WSF70N10D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSF70N10D TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF70N10D

WSF70N10D概述

    电子元器件产品技术手册:WSF70N10D N-Channel MOSFET

    1. 产品简介


    WSF70N10D是一款先进的SGT(Super Junction Technology)N-Channel MOSFET,具有低导通电阻(RDS(ON))和快速开关性能。该产品设计用于提高快速开关性能及出色的雪崩特性,特别适用于消费电子电源、电机控制、同步整流以及隔离式直流应用等场景。其卓越的稳定性和均匀性使其成为逆变器系统的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是WSF70N10D的主要技术规格:
    - 最大耐压(BVDSS):100V
    - 导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS=10V时,典型值为9mΩ;最大值为10mΩ
    - VGS=4.5V时,典型值为12mΩ;最大值为14mΩ
    - 连续漏极电流(ID):60A(TC=25℃)
    - 脉冲漏极电流(ID, pulse):180A(TC=25℃)
    - 功耗(PD):56.8W(TC=25℃)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):183.8mJ
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C至+150°C
    - 热阻(Rth(J-c)):2.5°C/W
    - 热阻(Rth(J-A)):70°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻与高效率:WSF70N10D具备极低的导通电阻(RDS(ON)),显著减少功率损耗并提升能效。
    - 快速开关性能:优异的雪崩特性及快速开关能力,适合高频应用。
    - 稳定性与可靠性:先进的工艺确保了产品的稳定性和长寿命。
    - 广泛应用:适用于消费电子、电机驱动、同步整流等多个领域。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 消费电子设备的开关电源中作为主控开关管。
    - 同步整流电路中实现高效的电能转换。
    - 隔离式直流电源模块内的关键组件。
    使用建议:
    为了最大化WSF70N10D的性能,在设计电路时需注意散热管理,尤其是在高电流或高温环境下工作时。合理布局电路板以降低寄生电感,并考虑加入保护电路如过流保护、短路保护等措施,以进一步增强系统的可靠性和安全性。

    5. 兼容性和支持


    WSF70N10D采用标准TO-252封装形式,便于安装与替换其他同类型器件。Winsok公司提供全面的技术支持服务,包括样品申请、设计咨询和技术文档下载等,帮助客户加速产品研发进程。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 工作温度超出额定范围 | 确保设备运行于规定的工作温度范围内 |
    | 过热报警频繁发生 | 改善散热设计或增加外部冷却装置 |
    | 开关频率过高导致效率下降 | 调整PWM信号频率至适当水平 |

    7. 总结和推荐


    总体而言,WSF70N10D以其优秀的性能指标和广泛的应用场景成为一款极具吸引力的产品。它不仅满足了现代电子系统对高效能、低功耗的需求,还通过坚固耐用的设计确保长期稳定运行。对于需要高性能MOSFET的应用场合,我们强烈推荐使用WSF70N10D。
    如有进一步疑问,请联系Winsok技术支持团队获取详细资料和支持。

WSF70N10D参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-252-2L

WSF70N10D数据手册

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WSF70N10D封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ ¥ 2.8235
12500+ ¥ 2.7388
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