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WSP4606A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSP4606A SOP-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP4606A

WSP4606A概述


    产品简介


    WSP4606A 是一款高级的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的高密度沟槽技术制造。这种器件因其卓越的 RDS(ON)(静态漏源导通电阻)和栅极电荷,在同步降压转换器的应用中表现出色。WSP4606A 遵循 RoHS 和绿色产品标准,具有 100% EAS(单脉冲雪崩能量)保证,提供全面的功能可靠性验证。主要应用领域包括电源管理、半桥和逆变器、直流-直流转换器及负载开关。

    技术参数


    | 参数 | N-Channel | P-Channel | 单位 |
    ||
    | VDS | 30 | -30 | V |
    | VGS | ±20 | ±20 | V |
    | ID@TC=25℃ | 6.8 | -5.6 | A |
    | ID@TC=100℃ | 5.8 | -3.9 | A |
    | IDM | 19 | -11 | A |
    | EAS | 71 | 58 | mJ |
    | IAS | 20 | -18 | A |
    | PD@TC=25℃ | 2.5 | 2.08 | W |
    | TSTG | -55 to 150 | -55 to 150 | ℃ |
    | TJ | -55 to 150 | -55 to 150 | ℃ |

    产品特点和优势


    1. 先进的高密度沟槽技术:提高了器件的密度和效率。
    2. 超级低栅极电荷:减少开关损耗,提高系统整体效率。
    3. 优秀的CdV/dt效应下降:改善了开关性能。
    4. 100% EAS保证:提供了可靠性和耐用性。
    5. 绿色环保设备:符合RoHS标准,对环境友好。

    应用案例和使用建议


    WSP4606A 在同步降压转换器中广泛应用。例如,在一个典型的DC-DC转换器应用中,该器件能够有效地管理功率转换,同时提供稳定的输出电压。在实际应用中,建议确保正确的散热设计以避免过热,从而确保系统的稳定运行。对于更高电流的应用,可以考虑并联多个器件来分散热量和增加总电流容量。

    兼容性和支持


    WSP4606A 与多种标准封装兼容,如SOP-8。制造商提供了详细的技术文档和支持,以帮助客户进行产品集成和测试。此外,制造商还提供在线资源和专业工程师的支持,以解答任何技术和应用相关的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 如何防止器件过热?
    - 确保良好的散热设计,如使用散热片或热管。此外,注意监测器件的工作温度,并采取适当的冷却措施。

    2. 在极端条件下器件可能会损坏吗?
    - 为避免潜在的损坏,应在额定工作范围内使用器件。如果需要在极端条件下操作,请联系技术支持以获取专业建议。

    总结和推荐


    WSP4606A 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,适用于多种电源管理和控制应用。它的先进技术和设计使其成为众多应用的理想选择。推荐在需要高效、可靠功率转换的系统中使用此器件,尤其是同步降压转换器和直流-直流转换器。

WSP4606A参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOP-8L

WSP4606A数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSP4606A WSP4606A数据手册

WSP4606A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.3639
9000+ ¥ 0.3529
15000+ ¥ 0.3424
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