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WST03P10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WST03P10
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST03P10

WST03P10概述

    WST03P10 P-Ch MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    WST03P10 是一款高性能的沟槽式 P 沟道 MOSFET,专为高频同步降压转换器(Point-of-Load Synchronous Buck Converter)而设计。它广泛应用于网络 DC-DC 电源系统和负载开关等场合。WST03P10 符合 RoHS 和绿色环保标准,100% EAS 保证且全功能可靠性通过认证。

    技术参数


    以下是该 MOSFET 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS(漏源电压) | -100 | - | - | V |
    | VGS(栅源电压) | ±20 | - | ±20 | V |
    | ID@TC=25℃(连续漏电流) | -3 | - | - | A |
    | IDP(脉冲漏电流) | -9 | - | - | A |
    | PD(总耗散功率) | - | 1.5 | - | W |
    | 热阻(结-环境) | - | 125 | - | ℃/W |
    | RDS(ON)(导通电阻) | - | 300 | 350 | mΩ |
    | VGS(th)(栅阈值电压) | -1.2 | -1.9 | -3.0 | V |

    产品特点和优势


    1. 高级高密度单元技术:提供了优异的 RDS(ON) 和栅电荷。
    2. 超低栅电荷:减少了电路中的损耗。
    3. 优秀的 Cdv/dt 效应衰减:提高了信号完整性。
    4. 100% EAS 保证:全功能可靠性通过认证。
    5. 绿色环保设备:符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    WST03P10 在高频同步降压转换器、网络 DC-DC 电源系统及负载开关中有着广泛的应用。例如,在设计一个高频同步降压转换器时,选择 WST03P10 可以显著提高系统的效率和稳定性。建议在使用时考虑散热设计,以确保长时间稳定运行。

    兼容性和支持


    WST03P10 具有广泛的兼容性,可与其他主流 MOSFET 设备无缝配合使用。Winsok 提供技术支持和售后服务,确保用户可以顺利部署和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 在高温环境下,MOSFET 的性能下降。
    解决方案: 使用良好的散热设计,如增加散热片或采用强制风冷。

    2. 问题: 脉冲电流超过规定值。
    解决方案: 确保电路设计合理,限制脉冲电流不超过最大值。

    总结和推荐


    总体而言,WST03P10 P-Ch MOSFET 是一款高性能、可靠且绿色环保的产品,适用于多种应用场景。它具有出色的导通电阻和低栅电荷,非常适合用于高频同步降压转换器和其他电力转换应用。鉴于其高性能和高可靠性,强烈推荐使用 WST03P10 以提升系统性能和效率。

WST03P10参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-23-3L

WST03P10数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST03P10 WST03P10数据手册

WST03P10封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.0419
50+ ¥ 0.9806
150+ ¥ 0.8752
500+ ¥ 0.6558
3000+ ¥ 0.6313
9000+ ¥ 0.6129
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