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WSF20N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSF20N06 TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF20N06

WSF20N06概述


    产品简介


    WSF20N06 是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度。它专为高频点对点同步降压转换器设计,适用于移动计算(MB/NB/UMPC/VGA)、网络DC-DC电源系统和LCD/LED背光等领域。此产品符合RoHS和绿色产品的要求,确保在各种严苛环境下可靠运行。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压(VDS) 60 | V |
    | 栅源电压(VGS) ±20 | V |
    | 连续漏极电流(ID) | 25 A |
    | 极脉冲漏极电流(IDM) 100 | A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) 38 | mJ |
    | 雪崩电流(IAS) 14 | A |
    | 结温(TJ) -55至175| ℃ |
    | 存储温度范围(TSTG) -55至175| ℃ |
    | 热阻(RθJA) | 1 | 75 | ℃/W |
    | 热阻(RθJC) | 1 | 3 | ℃/W |

    产品特点和优势


    1. 先进高密度单元技术:采用先进的沟槽技术,提供了极高的单元密度。
    2. 超低栅极电荷:降低了功率损耗,提高了效率。
    3. 出色的CdV/dt效果降低:确保了更好的开关性能。
    4. 100% EAS保证:确保了高可靠性。
    5. 环保设备:提供绿色选项,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    WSF20N06 在多种应用中表现出色,例如用于笔记本电脑和移动设备的点对点同步降压转换器,以及网络DC-DC电源系统。在实际应用中,用户可以根据其具体需求选择合适的操作条件。例如,在高温环境下,可以选择适当的散热措施来确保设备的正常运行。
    使用建议:
    - 在高频应用中,确保良好的散热设计以防止过热。
    - 根据应用要求选择合适的驱动电路,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    WSF20N06 可与大多数标准驱动电路兼容,方便集成到现有系统中。Winsok提供全面的技术支持和售后维护服务,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 解决方案:确保适当的散热设计,使用足够的散热片或其他冷却措施。
    2. 栅极泄漏电流过大
    - 解决方案:检查驱动电路的连接是否正确,必要时更换驱动电路。
    3. 启动延迟时间长
    - 解决方案:调整驱动电阻(Rg),以优化启动速度。

    总结和推荐


    WSF20N06 是一款高性能的MOSFET,具有高密度单元和超低栅极电荷的优势,适用于多种高要求的应用场合。其出色的可靠性、易用性和良好的技术支持使其成为市场上的有力竞争者。强烈推荐给需要高性能MOSFET的用户,特别是在高频应用中需要低损耗和高效率的场景。

WSF20N06参数

参数
Id-连续漏极电流 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
通用封装 TO-252-2L

WSF20N06数据手册

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WSF20N06封装设计

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7500+ ¥ 1
12500+ ¥ 0.97
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