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WSP4099

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2W(Tc) 20V 2.5V@ 250uA 7.5NC 2个P沟道 40V 38mΩ@ 10V,6.5A 6.5A 1nF@ 15V SOP-8L 贴片安装
供应商型号: 31M-WSP4099
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP4099

WSP4099概述


    产品简介


    WSP4099 双P沟道MOSFET
    WSP4099是一款高性能的双P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用了先进的高密度沟槽技术,提供极低的栅极电荷和优秀的CdV/dt效应衰减。这些特性使其成为高频点负载同步降压转换器、网络DC-DC电源系统和负载开关等多种应用的理想选择。
    主要功能和应用领域:
    - 高频点负载同步降压转换器,适用于移动笔记本(MB/NB)、超移动个人计算机(UMPC)和视频图形阵列(VGA)。
    - 网络DC-DC电源系统。
    - 负载开关。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):-40 V
    - 栅极-源极电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID@TC=25℃):-6.5 A (VGS=-10V)
    - 连续漏极电流(ID@TC=100℃):-4.5 A (VGS=-10V)
    - 脉冲漏极电流(IDM):-22 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):25 mJ
    - 雪崩电流(IAS):-10 A
    - 总功耗(PD@TC=25℃):2.0 W
    - 热阻(RθJA):110 ℃/W
    - 热阻(RθJC):50 ℃/W
    - 阈值电压(VGS(th)):-1.5 至 -2.5 V
    - 最大栅源泄漏电流(IGSS):±100 nA
    - 总栅极电荷(Qg):7.5 nC

    产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:提供了卓越的导通电阻(Rdson)和栅极电荷。
    - 超级低栅极电荷:降低了驱动功耗。
    - 优秀的CdV/dt效应衰减:增强了抗干扰能力。
    - 100% EAS保证:确保产品的雪崩耐受能力。
    - 环保设计:符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在移动设备中作为高频点负载同步降压转换器,例如在笔记本电脑和超移动个人计算机中。
    - 用于网络通信设备中的DC-DC电源转换。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,避免超过最大额定温度。
    - 使用合适的栅极驱动电路以减少栅极噪声和提高可靠性。
    - 在高压和高温环境下,注意热管理,必要时使用外部散热器。

    兼容性和支持


    WSP4099与大多数主流的直流-直流转换器和电源管理系统兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持,用户可以通过官方网站获取更多帮助和更新信息。

    常见问题与解决方案


    问题1:过高的漏极电流导致器件损坏
    - 解决方案:检查负载电流,确保不超过最大允许值。采用适当的保护措施,如熔断器和热保护电路。
    问题2:设备温度过高
    - 解决方案:改善散热设计,如增加散热片或使用散热风扇。避免长时间运行在高温环境下。
    问题3:器件失效
    - 解决方案:检查输入电压和电流,确保不超出额定范围。同时,确保所有连接和接口正确无误。

    总结和推荐


    总体评价:
    WSP4099 双P沟道MOSFET凭借其出色的导通电阻、优秀的雪崩耐受能力和紧凑的设计,在高频点负载同步降压转换器和其他应用中表现出色。其先进技术和可靠性能使其成为市场上的佼佼者。
    推荐:
    鉴于其优良的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐WSP4099用于需要高性能和高可靠性的电子设备中。通过适当的使用和维护,可以确保长期稳定的工作表现。

WSP4099参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
最大功率耗散 2W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 38mΩ@ 10V,6.5A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
FET类型 2个P沟道
Id-连续漏极电流 6.5A
栅极电荷 7.5NC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1nF@ 15V
通用封装 SOP-8L
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WSP4099数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSP4099 WSP4099数据手册

WSP4099封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.8586
10+ ¥ 1.4358
30+ ¥ 1.2559
100+ ¥ 1.1258
500+ ¥ 1.0358
1000+ ¥ 0.9415
库存: 2240
起订量: 1 增量: 3000
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