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WSG02P06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 20V 6.3nC@ 4.5V 60V 175mΩ@ 10V,2A 2A 364pF@15V SOT-223-3L
供应商型号: 31M-WSG02P06
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSG02P06

WSG02P06概述

    WSG02P06 P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSG02P06 是一款由 Winsok 推出的高性能 P-Channel 增强模式功率场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Power FET)。该器件采用高密度 Trench 工艺制造,特别适用于便携式设备、电源管理和其他电池供电电路,能够在极小的表面贴装封装中实现低电压应用。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):-60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID@TA=25℃):-2A(VGS @ -10V)
    - 连续漏电流 (ID@TA=70℃):-1.6A(VGS @ -10V)
    - 脉冲漏电流 (IDM):-10A
    - 总功耗 (PD@TA=25℃):2W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55℃ 至 150℃
    - 工作结温范围 (TJ):-55℃ 至 150℃
    - 热阻 (RθJA):62℃/W
    - 热阻 (RθJC):5.4℃/W
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):215mΩ(VGS=-4.5V,ID=-2A)

    产品特点和优势


    1. 高单元密度 Trench 技术:最大限度降低导通电阻。
    2. 超低栅电荷:提升高频应用性能。
    3. 优秀的 CdV/dt 效应衰减:减少开关过程中的电压波动。
    4. 100% EAS 保证:确保长期可靠性。
    5. 环保型产品:可提供绿色器件选项。

    应用案例和使用建议


    WSG02P06 主要应用于以下领域:
    - 高频点对点同步降压转换器
    - 网络 DC-DC 电源系统
    - 负载开关
    在实际应用中,为确保最佳性能,建议在设计电路时考虑散热措施,以避免因过热导致器件损坏。具体应用中应注意器件的工作环境温度,并根据实际情况调整驱动信号,以确保稳定运行。

    兼容性和支持


    WSG02P06 的 SOT-223 封装使其易于与其他标准电子元器件兼容。Winsok 提供详尽的技术支持和维护文档,以帮助用户解决潜在问题并确保最佳性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的漏电流导致器件烧毁
    - 解决方法:检查驱动电路,确保输出电流不超过器件额定值。

    2. 问题:散热不良导致温度过高
    - 解决方法:优化 PCB 设计,增加散热片或使用散热膏提高热传导效率。

    总结和推荐


    WSG02P06 P-Channel MOSFET 在便携式设备、电源管理和负载开关等应用中表现出色。其低导通电阻、优秀的耐热性和高可靠性使其成为众多设计的理想选择。对于需要高效且紧凑解决方案的应用场合,强烈推荐使用此产品。

WSG02P06参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 6.3nC@ 4.5V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 175mΩ@ 10V,2A
Id-连续漏极电流 2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 364pF@15V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 SOT-223-3L

WSG02P06数据手册

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WSG02P06封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 0.965
30+ ¥ 0.8579
100+ ¥ 0.7184
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