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WSD2054DN22

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1.5W(Ta) 1.2V@ 250uA 6.4nC@ 4.5V 20V 50mΩ@ 4.5V,1.8A 5A DFN2X2-6S
供应商型号: 14M-WST2093 DFN2X2-6L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 0
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD2054DN22

WSD2054DN22概述


    产品简介


    WSD2054DN22 高频点负载同步整流MOSFET
    WSD2054DN22 是一款先进的高密度沟槽N通道MOSFET,具有极高的单元密度,适用于多种小功率开关和负载开关应用。这款MOSFET符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全面的功能可靠性验证。WSD2054DN22 主要应用于高频点负载同步整流、小型电源开关、笔记本电脑(MB/NB)、超移动个人电脑(UMPC)、视频图形阵列(VGA)和网络DC-DC电源系统等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS 20 V |
    | 源漏导通电阻 | RDS(ON) 50 | 65 | mΩ |
    | 栅阈电压 | VGS(th) | 0.4 | 0.75 | 1.2 | V |
    | 漏源漏电流 | IDSS 1 | μA |
    | 栅源漏电流 | IGSS ±100 | nA |
    | 前向跨导 | gfs 7.7 S |
    | 总栅电荷 (4.5V) | Qg 6.4 nC |
    | 门极电阻 | Rg 1.2 | 2.4 | Ω |
    | 栅源电荷 | Qgs 0.54 nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd 1.25 nC |
    | 开启延时时间 | Td(on) 1.6 ns |
    | 上升时间 | Tr 29.6 ns |
    | 关断延时时间 | Td(off) 18.8 ns |
    | 下降时间 | Tf 6 ns |
    | 输入电容 | Ciss 450 pF |
    | 输出电容 | Coss 70 pF |
    | 反向转移电容 | Crss 43

    产品特点和优势


    WSD2054DN22 具有以下特点和优势:
    1. 先进高密度沟槽技术:提供低导通电阻和低栅电荷,适用于各种高频和低功耗应用。
    2. 超低栅电荷:有助于降低驱动损耗,提高效率。
    3. 优秀的Cdv/dt效应衰减:增强EMI性能。
    4. 绿色装置可选:符合环保要求。
    5. 高可靠性和耐用性:满足RoHS标准,适用于需要高可靠性的应用。
    6. 高性能:能够在极端温度范围内稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高频点负载同步整流
    - 小型电源开关,适用于笔记本电脑(MB/NB)、超移动个人电脑(UMPC)、视频图形阵列(VGA)
    - 网络DC-DC电源系统
    - 负载开关
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保在最大额定值下运行,以充分发挥其性能。
    - 选择合适的栅极驱动器来匹配栅电荷,从而减少功耗并提高效率。
    - 使用热设计来确保良好的散热效果,特别是在高温环境中运行时。

    兼容性和支持


    WSD2054DN22 可以与多种电源管理系统和其他电子元器件兼容。Winsok公司提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速集成和调试产品。此外,客户可以访问Winsok官网获取最新的技术文档和技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的驱动器?
    - 解答:根据总栅电荷(Qg)和栅极电阻(Rg)选择合适的驱动器。确保驱动器能够提供足够的电流和合适的电压范围,以匹配MOSFET的需求。
    2. 问:如何优化散热效果?
    - 解答:使用适当的散热片和散热膏,并进行热仿真计算,以确保MOSFET的结温不会超过安全范围。可以参考手册中的热数据部分,了解具体的热阻参数(如RθJA)。

    总结和推荐


    综合评估:
    WSD2054DN22 是一款高性能、高可靠性的MOSFET,特别适用于高频和低功耗应用。其先进的高密度沟槽技术和超低栅电荷使其在同类产品中脱颖而出。在极端环境下也能保持稳定的性能表现。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐使用WSD2054DN22。无论是小型电源开关还是复杂的网络DC-DC电源系统,它都能提供卓越的表现。只需遵循手册中的指导,便能充分发挥其潜力。

WSD2054DN22参数

参数
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 1.5W(Ta)
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 6.4nC@ 4.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 4.5V,1.8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250uA
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 DFN2X2-6S

WSD2054DN22数据手册

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WSD2054DN22封装设计

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