处理中...

首页  >  产品百科  >  WSD4050DN

WSD4050DN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 22nC@ 10V 7.4mΩ@ 10V,7A 50A DFN3X3-8
供应商型号: 14M-WST2105 DFN3X3-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD4050DN

WSD4050DN概述


    产品简介


    WSD4050DN N-Ch MOSFET 是一款高性能的沟槽型N通道MOSFET,具备极高的单元密度,特别适用于同步降压转换器等高频电源转换应用。这款MOSFET符合RoHS和绿色产品标准,通过了100% EAS验证,确保其全功能可靠性。
    主要功能:该产品提供极低的静态导通电阻(RDS(ON))和门电荷,能够在多种同步降压转换器中实现高效能量转换。此外,它还具备出色的dv/dt效应衰减,能够满足各种高频率电力应用的需求。
    应用领域:广泛应用于笔记本电脑、移动设备、服务器、网络通信系统等领域的点负载同步降压转换器中。此外,还可用于负载开关及各类电源管理系统中。

    技术参数


    | 参数 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | 40 | - | 40 | V |
    | RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 | 7.4 | - | 9.5 | mΩ |
    | ID | 连续漏电流 | - | 50 | 30 | A |
    | IDM | 脉冲漏电流 | - | 105 | - | A |
    | PD | 总功率耗散 | 5.0 | - | 3.2 | W |
    | Tj | 工作温度范围 | -55 | - | 150 | ℃ |
    | RθJA | 结到环境热阻 | - | - | 60 | ℃/W |
    | RθJC | 结到外壳热阻 | - | - | 4.6 | ℃/W |

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 极低的RDS(ON) 和门电荷,使得在同步降压转换器中具有高效的能量转换。
    - 出色的dv/dt效应衰减,减少瞬态电压对电路的影响。
    - 100% EAS保证,确保器件的安全可靠运行。
    - 绿色设计,符合RoHS标准,环保无害。
    优势:
    - 极高的单元密度,使其在高频应用中表现卓越。
    - 优秀的温控特性,能够在宽泛的工作温度范围内稳定工作。
    - 适合点负载和负载开关的应用,提高了系统的整体效率和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本电脑的电源管理:WSD4050DN可以用于笔记本电脑的电池充电和供电管理,通过提高能效延长电池寿命。
    - 服务器和网络通信设备:在服务器和路由器等高负载设备中,WSD4050DN可以提高电源转换效率,降低功耗。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热措施,以避免因过热导致的性能下降。
    - 确保输入电压和电流在额定范围内,避免超出最大允许值。
    - 对于高频率应用,建议进行详尽的热仿真和测试,确保其正常工作。

    兼容性和支持


    兼容性:WSD4050DN与多数主流的同步降压转换器和其他电力电子设备兼容。详细的引脚配置和封装信息请参阅产品手册。
    支持:Winsok提供了详尽的技术文档和专业支持,包括安装指南、故障排查手册和技术咨询服务。如有需要,用户可联系当地的销售代表获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 问题:在高电流下,设备过热。
    - 解决方案:增加外部散热片或风扇,以提高散热效率。
    2. 问题:输出电流不稳定。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确保电源电压和电流在规定范围内。
    3. 问题:设备不能正常关断。
    - 解决方案:检查门极驱动电路,确保门极电压足够高。

    总结和推荐


    综上所述,WSD4050DN N-Ch MOSFET 是一款集高性能、高可靠性和绿色设计于一体的理想选择。其极低的RDS(ON)和优越的温控性能使其成为高频电源转换器的理想部件。对于需要高效能和可靠性的应用场合,强烈推荐使用WSD4050DN。

WSD4050DN参数

参数
FET类型 -
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7.4mΩ@ 10V,7A
Id-连续漏极电流 50A
最大功率耗散 -
栅极电荷 22nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 DFN3X3-8

WSD4050DN数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD4050DN WSD4050DN数据手册

WSD4050DN封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.3222
50+ ¥ 1.2445
150+ ¥ 1.1106
500+ ¥ 0.8322
5000+ ¥ 0.8011
15000+ ¥ 0.7778
库存: 24
起订量: 5 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 6.61
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0