处理中...

首页  >  产品百科  >  WST03P06

WST03P06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1W(Tc) 20V 3V@ 250uA 6.3nC 1个P沟道 60V 110mΩ@ 10V,2A 3.5A 364pF SOT-23-3L 贴片安装
供应商型号: 31M-WST03P06
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST03P06

WST03P06参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 364pF
栅极电荷 6.3nC
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@ 10V,2A
通道数量 1
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 1W(Tc)
Id-连续漏极电流 3.5A
通用封装 SOT-23-3L
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WST03P06数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST03P06 WST03P06数据手册

WST03P06封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.5466
50+ ¥ 0.4908
150+ ¥ 0.4599
500+ ¥ 0.4295
3000+ ¥ 0.3874
6000+ ¥ 0.3509
库存: 44571
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 2.73
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336