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WST03P06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1W(Tc) 20V 3V@ 250uA 60V 110mΩ@ 10V,2A 3.5A 364pF SOT-23-3L 贴片安装
供应商型号: 31M-WST03P06
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST03P06

WST03P06概述

    WST03P06 P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WST03P06 是一款高性能的 Trench P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的单元密度。 它适用于多种小功率开关和负载开关应用,如高频点对点同步小型电源转换器、网络 DC-DC 电源系统等。产品符合 RoHS 和绿色环保要求,可靠性经过验证。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):-60 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID)(25℃):-3.5 A
    - 连续漏极电流 (ID)(100℃):-2.8 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-20 A
    - 总功耗 (PD)(25℃):1.0 W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 至 150°C
    - 工作结温范围 (TJ):-55°C 至 150°C
    - 热阻 (RθJA):125 °C/W
    - 热阻 (RθJC):80 °C/W
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):110 mΩ @ -60V,-3.5A

    3. 产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术
    - 超低栅极电荷
    - 优秀的 CdV/dt 效应降低
    - 100% EAS 保证
    - 绿色设备可选
    这些特性使得 WST03P06 在高压和高频应用中表现出色,特别是在需要小体积、高效率和低功耗的应用中,如笔记本电脑、移动设备和平板电脑中的电源管理。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高频点对点同步小型电源转换器
    - 网络 DC-DC 电源系统
    - 负载开关
    使用建议:
    1. 在高温环境下使用时,注意功耗限制以防止过热。
    2. 使用合适尺寸的散热片以降低 RθJA。
    3. 确保驱动电路能够提供足够的栅极驱动电压和电流,以避免开关速度慢或误操作。

    5. 兼容性和支持


    WST03P06 可与其他标准 P 沟道 MOSFET 兼容,并且在使用过程中可以轻松集成到现有的设计中。Winsok Semiconductor 提供全面的技术支持和维护服务,包括产品咨询、应用支持和故障排除。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热损坏 | 使用适当的散热措施,确保工作在安全温度范围内。 |
    | 开关速度慢 | 检查驱动电路,确保提供足够的栅极驱动电压和电流。 |
    | 漏电流过大 | 检查电路连接,确保所有连接正确无误。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    WST03P06 P-Channel MOSFET 具有高密度单元、低栅极电荷、优异的 CdV/dt 效应等特性,适用于各种小功率和高频应用。它在可靠性、性能和成本效益方面表现出色。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐 WST03P06 用于需要高效、可靠和紧凑解决方案的场合。

WST03P06参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 364pF
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 3.5A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@ 10V,2A
最大功率耗散 1W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-23-3L
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WST03P06数据手册

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WST03P06封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 0.4908
150+ ¥ 0.4599
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3000+ ¥ 0.3874
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