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WSD30L60DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 4.2W 2.5V@ 250uA 30V 17mΩ@ 10A,6V 15A DFN5X6-8L 贴片安装
供应商型号: 14M-WST2135 DFN5X6-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD30L60DN56

WSD30L60DN56概述

    WSD30L60DN56 P-Ch MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WSD30L60DN56 是一款高性能的P沟道MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统中的电源管理。这种MOSFET具有低导通电阻(RDS(ON))和高可靠性,特别适合于需要高效能、小型化和轻量化电源管理的应用场合。

    技术参数


    - 电压等级:漏源电压(VDSS) = -30V
    - 连续电流:最大连续漏极电流(ID) = -45A (VGS=-10V)
    - 脉冲电流:最大脉冲漏极电流(IDM) = -60A (VGS=-10V, 300ms)
    - 导通电阻:
    - RDS(ON) = 12mΩ (VGS=-10V)
    - RDS(ON) = 17mΩ (VGS=-6V)
    - RDS(ON) = 21mΩ (VGS=-4.5V)
    - 绝对最大额定值:
    - 最大门源电压(VGSS) = ±25V
    - 最大门极泄漏电流(IGSS) = ±100nA (VGS=±25V, VDS=0V)
    - 最大热阻(RqJA) = 4.2°C/W (表面安装在1平方英寸的焊盘上)
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(BVDSS) = -30V (VGS=0V, IDS=-250mA)
    - 零栅压漏极电流(IDSS) = -30mA (TJ=85°C)
    - 门阈电压(VGS(th)) = -1.5V 至 -2.5V (VDS=VGS, IDS=-250mA)
    - 反向恢复时间(trr) = 22ns (ISD=-15A, diSD/dt=100A/ms)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:在不同栅极电压下提供低至12mΩ的导通电阻,确保高效的电能转换。
    - 高可靠性:采用坚固耐用的设计,适合在极端环境下工作。
    - 绿色环保:无铅无卤素材料,符合RoHS标准,对环境友好。
    - 多功能应用:适用于多种便携设备和电池供电系统的电源管理。

    应用案例和使用建议


    - 笔记本电脑电源管理:在轻薄笔记本电脑中,这款MOSFET可以有效提高电源效率,延长电池寿命。
    - 便携式医疗设备:用于手持式医疗设备中的电源管理,提高设备可靠性和安全性。
    - 使用建议:在使用过程中,注意保持适当的散热措施以避免过热,确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 封装信息:采用DFN5x6A-8EP封装,具体尺寸请参考手册。
    - 认证信息:通过了HTRB、HTGB、PCT和TCT等多项可靠性测试,确保产品在各种应用环境中的稳定性。
    - 制造商支持:Winsok提供了详细的再流焊接温度曲线和预热及回流焊工艺参数,方便客户进行生产和装配。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备在高温环境下工作时出现过热现象。
    - 解决办法:增加散热片或使用散热器以帮助散热。
    - 问题:电源效率低于预期。
    - 解决办法:检查电路设计,确保正确的驱动信号和电源路径设计。

    总结和推荐


    WSD30L60DN56 P-Ch MOSFET以其卓越的导通电阻、高可靠性以及绿色环保的特点,在电源管理和便携设备应用中表现出色。虽然价格可能略高于其他同类产品,但其在高性能应用中的优异表现和可靠性使其成为市场上极具竞争力的选择。强烈推荐此款MOSFET给追求高效能、可靠性和环保特性的设计师和工程师。

WSD30L60DN56参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 4.2W
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 10A,6V
配置 -
Id-连续漏极电流 15A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
FET类型 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 DFN5X6-8L
安装方式 贴片安装

WSD30L60DN56数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD30L60DN56 WSD30L60DN56数据手册

WSD30L60DN56封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.0107
10+ ¥ 1.8925
30+ ¥ 1.689
100+ ¥ 1.2656
5000+ ¥ 1.2182
15000+ ¥ 1.1828
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