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WSP4606

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2.5W(Tc),2.08W(Tc) 20V 2.5V@ 250uA 7.2nC@ 4.5V 1个N沟道+1个P沟道 30V 18mΩ@ 10V,6A 7A,6A 550pF@25V SOP-8L 贴片安装
供应商型号: 14M-WSP4606
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP4606

WSP4606概述

    WSP4606 N-Ch and P-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WSP4606 是一款先进的高密度沟槽结构 N 沟道和 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于各种电力管理应用,如半桥和逆变器、直流-直流转换器及负载开关。这些 MOSFET 具备出色的导通电阻(RDSON)和门极电荷,特别适合同步降压转换器应用。

    2. 技术参数


    - VDS (漏源电压): ±30V
    - VGS (栅源电压): ±20V
    - ID@TC=25℃(连续漏电流): N-Channel: 7.0A, P-Channel: -6A
    - ID@TC=100℃(连续漏电流): N-Channel: 6A, P-Channel: -4A
    - IDM(脉冲漏电流): N-Channel: 20A, P-Channel: -12A
    - EAS(单脉冲雪崩能量): N-Channel: 72mJ, P-Channel: 59mJ
    - IAS(雪崩电流): N-Channel: 21A, P-Channel: -19A
    - PD@TC=25℃(总功率耗散): N-Channel: 2.5W, P-Channel: 2.08W
    - 存储温度范围(TSTG): -55 至 150°C
    - 工作结温范围(TJ): -55 至 150°C
    - 热阻(RθJA): 1 至 85°C/W
    - 热阻(RθJC): 1 至 50°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高级高密度沟槽技术:提高了导通电阻和门极电荷性能。
    - 超低门极电荷:减少开关损耗。
    - 优秀的CdV/dt 效应下降:提高开关速度和可靠性。
    - 100% EAS 保证:确保最大雪崩能量测试。
    - 绿色环保装置:符合RoHS和绿色产品标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 半桥和逆变器:适用于电力管理系统中的高压驱动。
    - 直流-直流转换器:提供高效的电源转换。
    - 负载开关:用于需要快速响应的应用。
    建议在使用时考虑散热设计,避免过热情况发生。可以通过增加散热片或使用散热板来增强热传导能力,以确保器件稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    WSP4606 兼容大多数通用电路板和电源模块。厂商提供了详尽的技术文档和应用指南,以确保用户能够正确使用和维护该产品。此外,厂商还提供技术支持和售后服务,以帮助解决可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 问题描述:器件温度过高,影响性能。
    - 解决方案:改善散热措施,增加散热片或使用散热板,确保环境温度控制在安全范围内。
    2. 导通电阻过高
    - 问题描述:测量发现器件的导通电阻高于预期值。
    - 解决方案:检查连接是否良好,确保没有松动或短路情况。必要时更换新的连接线。
    3. 开关时间不稳定
    - 问题描述:开关延迟时间和上升时间不稳定。
    - 解决方案:检查电源电压和负载条件是否符合要求。调整外部电阻值以优化开关特性。

    7. 总结和推荐


    综上所述,WSP4606 N-Ch 和 P-Channel MOSFET 在性能、可靠性和应用灵活性方面表现出色。其高级的沟槽技术、超低门极电荷和绿色环保特性使其成为电力管理和控制应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能电力管理解决方案的设计工程师。
    总之,WSP4606 是一个具有竞争力的产品,适用于多种电力管理应用,且具备出色的技术特性和可靠性。

WSP4606参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 10V,6A
最大功率耗散 2.5W(Tc),2.08W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
配置 -
Id-连续漏极电流 7A,6A
FET类型 1个N沟道+1个P沟道
栅极电荷 7.2nC@ 4.5V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 550pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8L
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WSP4606数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSP4606 WSP4606数据手册

WSP4606封装设计

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150+ ¥ 0.7363
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3000+ ¥ 0.5311
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