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WSD6040DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 42nC@ 10V 14mΩ@ 10V,25A 36A DFN5X6-8L
供应商型号: 14M-WSD6040DN56
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD6040DN56

WSD6040DN56概述


    产品简介


    N-Ch MOSFET WSD6040DN56是一款高性能沟槽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于各种同步降压转换器和其他电力电子应用。其设计旨在提供低导通电阻(RDSON)和优秀的门极电荷,以确保高效率和快速开关速度。该产品符合RoHS和绿色产品标准,可广泛应用于二次侧同步整流、直流-直流转换器、电机控制和负载开关等领域。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):最大值为60V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 脉冲漏极电流(IDM):最大值为36A
    - 连续漏极电流(ID):最大值为8.4A (TC=25°C)
    - 最大结温(TJ):150°C
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C至150°C
    - 热阻(RθJA):3.3°C/W
    - 热阻(RθJC):1.5°C/W
    其他重要参数还包括:
    - 门极泄漏电流(IGSS):±100nA
    - 门阈电压(VGS(TH)):1.6V 至 2.5V
    - 总门极电荷(Qg):42nC
    - 反向恢复时间(trr):27ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):33nC

    产品特点和优势


    WSD6040DN56的主要优势包括:
    - 极高的单元密度,保证了优秀的RDSON和门极电荷。
    - 符合RoHS和绿色产品标准,确保环保且无铅。
    - 高度可靠的雪崩耐受能力,100% EAS保证。
    - 快速开关能力和低热阻,适用于高频应用。
    这些特点使其成为同步降压转换器和其他电力电子应用的理想选择,特别是在需要高效能、高可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 二次侧同步整流:适用于功率变换器,提高效率。
    - 直流-直流转换器:在电池供电设备中用于电源管理。
    - 电机控制:实现精准控制和高效能。
    - 负载开关:快速切换负载,减少功耗。
    使用建议
    - 确保在规定的温度范围内使用,避免过载导致器件损坏。
    - 在选择外围电路元件时,考虑到开关损耗和热管理。
    - 由于具备快速开关能力,建议采用合适的驱动电路,避免信号失真。

    兼容性和支持


    WSD6040DN56具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有的系统中。制造商提供了全面的技术支持,包括详细的应用指南和技术文档。用户可以通过官方网站或联系当地代理商获取更多信息和支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 器件损坏
    - 解决方案:检查工作条件是否超出规定范围,适当降低工作温度并确保散热良好。
    2. 效率低下
    - 解决方案:优化外围电路设计,特别是驱动电路和电感选择。
    3. 开关频率不稳
    - 解决方案:检查门极驱动信号,确保信号强度和频率稳定性。

    总结和推荐


    综上所述,WSD6040DN56是一款高性能的N沟道MOSFET,具有优秀的导通电阻和快速开关能力。其在多个应用领域的表现突出,特别是对于要求高效率和可靠性的同步降压转换器应用。总体而言,强烈推荐使用这款产品,尤其是在需要高可靠性电力电子系统的场合。

WSD6040DN56参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 10V,25A
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 36A
栅极电荷 42nC@ 10V
通用封装 DFN5X6-8L

WSD6040DN56数据手册

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WSD6040DN56封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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150+ ¥ 1.2794
500+ ¥ 0.9586
5000+ ¥ 0.9228
15000+ ¥ 0.8959
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