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WSD3070DN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 62.5W 1.1V@ 250uA 25V 3.4mΩ@ 4.5V,20A 70A DFN3X3-8 贴片安装
供应商型号: 14M-WST2099 DFN3X3-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD3070DN

WSD3070DN概述


    产品简介


    WSD3070DN N-Channel MOSFET 是一款高性能的沟槽式N沟道功率MOSFET,具有极高的单元密度,专为高频点对点同步降压转换器而设计,适用于移动设备(MB/NB)、通用便携式计算平台(UMPC)、视频图形阵列(VGA)等领域。该产品广泛应用于网络直流-直流电源系统及负载开关中。其先进的高单元密度沟槽技术、超低栅极电荷和优秀的CdV/dt效应衰减使其成为市场的佼佼者。

    技术参数


    | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | - | 25 | - | V |
    | VGS | 栅源电压 | - | ±12 | - | V |
    | ID@TC=25℃ | 漏电流(连续),VGS@10V | - | 70 | - | A |
    | ID@TC=100℃ | 漏电流(连续),VGS@10V | - | 55 | - | A |
    | PD@TC=25℃ | 总功耗 | - | 62.5 | - | W |
    | RθJA | 结到环境热阻 | - | - | 70 | °C/W |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | - | 25 | - | V |
    | RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 | VGS=4.5V | 2.5 | 3.4 | mΩ |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | - | 0.8 | 1.1 | V |

    产品特点和优势


    - 极端高单元密度:提供了出色的 RDS(ON) 和栅极电荷,适合大多数同步降压转换器应用。
    - 绿色设备:符合RoHS和绿色产品要求。
    - 可靠度:100% EAS保证,且具备全面的功能可靠性认证。
    - 快速恢复二极管:反向恢复时间短,有利于提高效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 移动设备充电器:用于移动设备(如手机和平板电脑)的充电器,利用其高频率同步降压转换器特性来提升充电效率。
    - 网络服务器电源:适用于服务器电源系统的DC-DC转换,以满足其严格的功率需求。
    使用建议
    - 散热管理:在高负载下使用时需注意散热管理,避免过热导致损坏。
    - 驱动电路:建议使用合适的驱动电路来优化栅极驱动信号,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSD3070DN 与常见的电路板和其他电子元器件具有良好的兼容性,适合多种应用场合。
    - 支持:厂商提供详细的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 设备过热 | 确保适当的散热措施,例如增加散热片或优化通风系统。 |
    | 开关频率过高导致的功耗增大 | 调整电路参数,降低开关频率,使用合适的驱动电路以减少损耗。 |
    | 二极管反向恢复时间过长 | 选择更适合的应用条件或更换其他类型的快速恢复二极管。 |

    总结和推荐


    WSD3070DN N-Channel MOSFET 是一款高度集成、性能优越的MOSFET产品,特别适用于高频点对点同步降压转换器等高要求应用场合。其出色的RDS(ON)特性、绿色属性和可靠的性能使其在市场上具有较强的竞争力。对于需要高效率和高可靠性的应用,强烈推荐使用此产品。同时,厂商提供的全面技术支持和维护服务也极大地增强了产品的市场吸引力。

WSD3070DN参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.4mΩ@ 4.5V,20A
Id-连续漏极电流 70A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 250uA
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 62.5W
Vds-漏源极击穿电压 25V
FET类型 -
通用封装 DFN3X3-8
安装方式 贴片安装

WSD3070DN数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD3070DN WSD3070DN数据手册

WSD3070DN封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.7945
50+ ¥ 1.6889
150+ ¥ 1.5074
500+ ¥ 1.1294
5000+ ¥ 1.0872
15000+ ¥ 1.0555
库存: 2534
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