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WSD80100DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 125nC@ 10V 6.1mΩ@ 10V,40A 100A DFN5X6-8L
供应商型号: 14M-WSD80100DN56
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD80100DN56

WSD80100DN56概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    WSD80100DN56 N-Channel MOSFET 是一款高性能的沟槽型N-Channel MOSFET,专为同步降压转换器应用而设计。它提供了极高的单元密度,出色的Rdson(导通电阻)和栅极电荷,确保在大多数同步降压转换器应用中表现出色。此外,该器件符合RoHS和绿色环保产品要求,具有100%的雪崩能量保证,并经过全面的功能可靠性测试。

    技术参数


    - VDS(漏源电压): 80V
    - VGS(栅源电压): ±20V
    - ID(连续漏极电流):
    - 在VGS=10V, TC=25°C时:100A
    - 在VGS=10V, TC=100°C时:80A
    - IDM(脉冲漏极电流): 380A (TC=25°C)
    - PD(最大功率耗散): 200W (TC=25°C)
    - Rdson(导通电阻): 6.1mΩ @ 80V
    - BVDSS(漏源击穿电压): 80V
    - △BVDSS/△TJ(漏源击穿电压温度系数): 0.043V/°C
    - VGS(th)(栅阈电压): 2.0~4.0V
    - △VGS(th)/△TJ(栅阈电压温度系数): -6.94mV/°C
    - Ciss(输入电容): 4900pF
    - Coss(输出电容): 410pF
    - Crss(反向转移电容): 315pF

    产品特点和优势


    - 高密度单元设计:提供极低的导通电阻和优秀的栅极电荷,适合大多数同步降压转换器应用。
    - 坚固可靠:100%雪崩能量保证和全面的功能可靠性测试。
    - 环保材料:符合RoHS标准,提供无铅和绿色器件选择。
    - 高温耐受:最高结温可达150°C,满足极端环境下的需求。

    应用案例和使用建议


    - DC-DC转换器:适用于网络通信中的直流-直流转换器开关。
    - 通用开关:适用于需要快速开关的应用场合。
    使用建议:
    - 确保在使用过程中不超过最大额定值,如最大漏源电压(VDS)、最大栅源电压(VGS)和最大功率耗散(PD)。
    - 注意热管理,确保散热良好以避免因过热导致的性能下降或损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他电子元器件和设备无缝集成,适用于各种电路设计。
    - 支持:厂商提供详细的技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用产品的功能和性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的漏源电压导致器件损坏。
    - 解决方案:确保不超过最大额定值(VDS=80V)。
    - 问题2:发热严重导致性能下降。
    - 解决方案:使用散热器或改进散热设计,确保良好的热管理。
    - 问题3:启动延迟时间长。
    - 解决方案:优化电路设计,减少延迟时间,例如降低栅极电阻(RG)。

    总结和推荐


    WSD80100DN56 N-Channel MOSFET 是一款高性能、可靠的MOSFET器件,适用于多种应用场合,特别是网络通信和电源管理领域。其优异的导通电阻和栅极电荷性能,使其成为同步降压转换器的理想选择。此外,其坚固的设计和全面的支持保障了其在严苛环境下的稳定运行。强烈推荐使用此产品。
    以上内容是对 WSD80100DN56 N-Channel MOSFET 的详细技术手册的总结,希望能帮助您更好地理解和使用该产品。

WSD80100DN56参数

参数
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
栅极电荷 125nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6.1mΩ@ 10V,40A
配置 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 DFN5X6-8L

WSD80100DN56数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD80100DN56 WSD80100DN56数据手册

WSD80100DN56封装设计

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30+ ¥ 4.7258
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5000+ ¥ 3.4087
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