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WSC5N20A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 600mΩ@ 10V,30A 5A TO-251-3L
供应商型号: WSC5N20A TO-251-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 80
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSC5N20A

WSC5N20A概述


    产品简介


    WSC5N20A 是一款高性能的沟槽式N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的单元密度。它适用于同步降压转换器等大多数电力转换应用。该产品符合RoHS标准,并提供全功能可靠性认证。WSC5N20A 可广泛应用于电信48V输入的前向转换器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | 200 V |
    | VGS | 栅源电压 | ±20 V |
    | ID | 连续漏电流 5 A |
    | IDM | 脉冲漏电流 20 | A |
    | PD | 总耗散功率 43 W |
    | TJ, TSTG | 工作结温和存储温度范围 | -55 175 | ℃ |
    | RθJA | 热阻(结-环境)(稳态) 50 ℃/W |
    | RθJA | 热阻(结-环境)(≤10秒) 35 ℃/W |
    | RθJC | 热阻(结-壳) 3.5 ℃/W |

    产品特点和优势


    - 高细胞密度的沟槽技术,提高了MOSFET的效率。
    - 极低的栅电荷,有助于减少开关损耗。
    - 优秀的CdV/dt效应下降,提高了可靠性。
    - 100% EAS保证,确保在极端条件下的性能稳定。
    - 符合环保要求,可提供绿色装置。

    应用案例和使用建议


    WSC5N20A 主要用于电信48V输入的前向转换器,适用于同步降压转换器。在设计过程中,需考虑以下几点:
    - 热管理:确保散热良好,避免因过热导致损坏。
    - 电路保护:适当添加保护电路,如TVS二极管,以防止瞬时高压冲击。

    兼容性和支持


    WSC5N20A 具有良好的兼容性,可以与其他常见的电源管理组件配合使用。厂商提供了详尽的技术支持,包括产品文档、样品申请和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机瞬间过热 | 确保良好的散热措施,使用散热片或散热风扇。 |
    | 开关频率过高导致功耗增加 | 调整开关频率,降低功耗。 |
    | 寿命短 | 定期检查并更换老化部件,保持良好的工作环境。|

    总结和推荐


    WSC5N20A MOSFET凭借其高密度沟槽技术和优异的电气性能,在各种电力转换应用中表现出色。它具有良好的热管理和可靠的电气特性,适合多种工业应用。鉴于其出色的性能和稳定性,我们强烈推荐使用WSC5N20A MOSFET。如果您正在寻找高性能且可靠的电力转换解决方案,WSC5N20A 将是理想的选择。

WSC5N20A参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ@ 10V,30A
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 5A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-251-3L

WSC5N20A数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSC5N20A WSC5N20A数据手册

WSC5N20A封装设计

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