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WSD30L120DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 78W(Tc) 20V 2.5V@ 250uA 135NC 2个P沟道 30V 3.6mΩ@ 10V,30A 120A 1.2nF DFN5X6-8L 贴片安装
供应商型号: WSD30L120DN56 DFN5X6-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD30L120DN56

WSD30L120DN56参数

参数
栅极电荷 135NC
通道数量 -
FET类型 2个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3.6mΩ@ 10V,30A
最大功率耗散 78W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
Id-连续漏极电流 120A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
通用封装 DFN5X6-8L
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WSD30L120DN56数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD30L120DN56 WSD30L120DN56数据手册

WSD30L120DN56封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 2.376
15000+ ¥ 2.3364
25000+ ¥ 2.277
库存: 117027
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 11880
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