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WSD30L120DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 78W(Tc) 20V 2.5V@ 250uA 135NC 2个P沟道 30V 3.6mΩ@ 10V,30A 120A 1.2nF DFN5X6-8L 贴片安装
供应商型号: 31M-WSD30L120DN56
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD30L120DN56

WSD30L120DN56概述

    电子元器件产品技术手册:WSD30L120DN56 P-Ch MOSFET

    1. 产品简介


    WSD30L120DN56是一款高性能的沟槽式P沟道MOSFET,专为高频点对点同步降压转换器设计。适用于笔记本电脑(MB)、超移动个人电脑(UMPC)、网络DC-DC电源系统及负载开关等应用。其高密度单元结构和先进的制造工艺使其具备出色的低导通电阻(RDSON)和门极电荷特性,是现代电子系统中不可或缺的高效能组件。

    2. 技术参数


    - 工作电压:VDS(漏源电压)= -30V;VGS(门源电压)= ±20V。
    - 连续电流:在TC=25°C时,ID = -120A;在TC=100°C时,ID = -76A。
    - 脉冲电流:IDM = -400A。
    - 雪崩耐受能量:EAS = 324mJ。
    - 总功耗:PD@TC=25°C = 78W;PD@TA=25°C = 6.8W。
    - 存储温度范围:TSTG = -55°C到150°C。
    - 工作结温范围:TJ = -55°C到150°C。
    - 热阻抗:RθJA = 55°C/W;RθJC = 1.6°C/W。

    3. 产品特点和优势


    - 高密度单元结构:采用先进的沟槽技术,实现了极高的单元密度。
    - 低门极电荷:降低了驱动功率,提高了系统的整体效率。
    - 优异的CDV/dt效应下降:保证了在快速开关操作下的稳定性能。
    - 100% EAS保证:确保了在单脉冲雪崩条件下的可靠性。
    - 环保产品:满足RoHS和绿色产品标准,无卤素。

    4. 应用案例和使用建议


    WSD30L120DN56广泛应用于高频率点对点同步降压转换器、网络DC-DC电源系统和负载开关等场景。例如,在笔记本电脑中,它可以作为高效的电源管理芯片使用,提高电池续航能力并减少发热。在实际使用中,建议注意热管理和散热措施,以确保在高电流条件下的稳定性。

    5. 兼容性和支持


    WSD30L120DN56与其他常见的电子元器件和设备具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有系统中。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,用户可以在官方网站或联系当地代理商获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:高温环境下电流输出不稳定。
    - 解决方案:确保散热良好,选择合适的散热器或增加外部冷却措施。
    - 问题:长时间工作后温度过高。
    - 解决方案:降低工作负载,或者调整电路设计以优化热管理。

    7. 总结和推荐


    WSD30L120DN56以其出色的性能和可靠性,特别适合需要高效率和紧凑设计的应用场合。经过详细的技术参数和实际应用验证,我们强烈推荐使用此款MOSFET来提升系统的整体性能和稳定性。

WSD30L120DN56参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.6mΩ@ 10V,30A
最大功率耗散 78W(Tc)
配置 -
Id-连续漏极电流 120A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
FET类型 2个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 135NC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF
通用封装 DFN5X6-8L
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WSD30L120DN56数据手册

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WSD30L120DN56封装设计

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30+ ¥ 3.15
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