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WSR4N65F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 10.2nC@ 10V 2.6Ω@10V,3.5A 4A TO-220F-3L
供应商型号: WSR4N65F TO-220F-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR4N65F

WSR4N65F概述


    产品简介


    WSR4N65F 是一款高性能的沟槽式N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,特别适用于同步降压转换器等应用。该器件符合RoHS和绿色环保标准,100%单脉冲雪崩能量保证,并通过全功能可靠性测试。此MOSFET主要应用于AC/DC电源转换、不间断电源(UPS)及适配器等领域。

    技术参数


    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 漏源电压(VDS):650V
    - 连续漏电流(ID):1.5A @ TC=25℃,1.5A @ TC=100℃
    - 脉冲漏电流(IDM):2.5A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):128mJ
    - 总功耗(PD):39W
    - 热阻(RθJA):65℃/W(结至环境)
    - 热阻(RθJC):3.2℃/W(结至外壳)
    - 静态漏源导通电阻(RDSON):2.6Ω @ VGS=10V,ID=4A
    - 输入电容(Ciss):550pF @ VDS=25V,VGS=0V,f=1MHz
    - 输出电容(Coss):46pF
    - 反向传输电容(Crss):2.3pF

    产品特点和优势


    WSR4N65F 具备以下特点和优势:
    - 高密度沟槽技术:提供低RDSON和低栅极电荷。
    - 超低栅极电荷:显著降低驱动损耗。
    - 优秀的Cdv/dt效果衰减:提高系统稳定性。
    - 环保型器件:符合RoHS和绿色环保标准。
    这些特点使其在各种应用中表现出色,如AC/DC电源转换、不间断电源(UPS)及适配器。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - AC/DC电源转换:在高频开关电源中,WSR4N65F能够有效减少功率损耗,提高转换效率。
    - 不间断电源(UPS):确保电源系统的稳定性和可靠性,适用于数据中心、医疗设备等关键设施。
    - 适配器:在小型化适配器中,WSR4N65F的小尺寸和高效能可以实现更紧凑的设计。
    使用建议
    - 在设计电路时,需要确保栅极驱动电压不超过30V,以避免损坏。
    - 高温环境下使用时,要特别注意散热措施,确保温度不超过150℃。
    - 对于高压大电流应用,应考虑使用并联MOSFET以提高可靠性。

    兼容性和支持


    WSR4N65F 采用TO-220F封装,易于与其他标准器件集成。Winsok公司提供了详尽的技术支持,包括详细的电气特性和应用指南,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 栅极驱动电压过高
    2. 高温环境下温度控制
    3. 大电流下的可靠运行
    解决方案
    1. 确保栅极驱动电压不超过额定值,使用合适的驱动电路。
    2. 使用有效的散热机制,如加装散热片或散热风扇。
    3. 在大电流条件下,考虑并联多个MOSFET以分散负载,提高可靠性。

    总结和推荐


    WSR4N65F是一款高度集成的高性能N沟道MOSFET,适用于多种电源转换应用。其出色的电气特性和高效能使其在市场上具有很高的竞争力。推荐在需要高可靠性和高效率的应用中使用,特别是在AC/DC电源转换、不间断电源和适配器等场景下。对于寻求高性能、可靠性和环保型电子元件的用户来说,WSR4N65F是一个值得选择的优秀产品。

WSR4N65F参数

参数
配置 -
栅极电荷 10.2nC@ 10V
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6Ω@10V,3.5A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F-3L

WSR4N65F数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSR4N65F WSR4N65F数据手册

WSR4N65F封装设计

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