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WSD2098DN23

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSD2098DN23 DFN2X3-6S
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD2098DN23

WSD2098DN23概述

    WSD2098DN23 N-Ch MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    WSD2098DN23 是一款高密度沟槽N沟道MOSFET,适用于笔记本电脑、便携设备和电池供电系统中的电源管理及直流-直流转换系统。它通过提供极低的导通电阻(RDSON)和门电荷(Gate Charge),能够满足各种小功率开关和负载开关应用的需求。此外,该产品符合RoHS标准,并通过了全面的功能可靠性测试。

    技术参数


    | 参数符号 | 参数描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | 20 V |
    | VGS | 栅源电压 | ±12 V |
    | ID | 持续漏电流 9.7 | 7.5 | A |
    | IDM | 脉冲漏电流 38 | A |
    | PD | 总功耗 1.0 | 0.6 | W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 150 | °C |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 150 | °C |
    | RθJA | 热阻(结到环境) 127 | 80 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 先进高密度沟槽技术:提供了极高的单元密度,从而提高性能。
    - 超低门电荷:有助于降低电路中的总能耗。
    - 优秀的dv/dt效应衰减:减少开关过程中的电压波动。
    - 绿色产品可用:符合环保要求,为无铅产品。

    应用案例和使用建议


    WSD2098DN23 的典型应用包括笔记本电脑和便携设备中的电源管理。例如,在笔记本电脑的电池充电电路中,可以使用此MOSFET来实现高效能的开关操作。为了确保最佳性能,在设计时应注意保持散热效果,避免过热情况发生。另外,由于其耐压范围为20V,适合应用于低压环境下的电路设计。

    兼容性和支持


    WSD2098DN23 与市面上多数电子设备和组件兼容,具体适用范围需要根据实际应用需求进行验证。厂家提供了相应的技术支持服务,以帮助客户解决问题并提供必要的指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良导致性能下降 | 确保良好的散热措施,如使用散热片等辅助设备 |
    | 功耗过高 | 检查电路设计,确保没有不必要的损耗 |

    总结和推荐


    WSD2098DN23 N-Ch MOSFET 以其高性能、高可靠性和优良的散热特性,在电源管理和电池供电系统的应用中表现出色。尤其适合需要极高效率和良好开关特性的场合。总的来说,这款MOSFET是值得推荐的产品。在使用过程中应注意合理的散热设计,并遵循厂家的使用指南以确保其最佳性能和使用寿命。

WSD2098DN23参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 DFN2X3-6S

WSD2098DN23数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD2098DN23 WSD2098DN23数据手册

WSD2098DN23封装设计

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