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WSP14N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WSP14N10
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP14N10

WSP14N10概述

    WSP14N10 N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    WSP14N10 是一款由Winsok公司生产的N-Channel MOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),具备高密度的沟槽技术和卓越的性能。它适用于负载开关、电池保护以及不间断电源系统等多种应用场合。其主要功能是通过控制电压来导通或关断电流,从而实现电路的控制。

    2. 技术参数


    以下是WSP14N10的主要技术参数:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 100V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 14A @ VGS @ 10V
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 42A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 30mJ @ L=0.1mH
    - 总功率耗散 (PD): 72W @ TA=25℃
    - 存储温度范围 (TSTG): -55至150℃
    - 工作结温范围 (TJ): -55至150℃
    - 热阻 (RθJA): 40℃/W
    - 热阻 (RθJC): 24℃/W
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)): 16mΩ @ VGS=10V, ID=14A
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 1.0-2.5V
    - 输入电容 (Ciss): 1191pF @ VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz

    3. 产品特点和优势


    - 高密度沟槽技术:实现了更小的尺寸和更高的集成度。
    - 超低栅极电荷:减少了开关损耗,提高了效率。
    - 优秀的Cdv/dt效应下降:确保了快速稳定的开关性能。
    - 环保型设备可用:符合RoHS和绿色产品要求。
    - 可靠性认证:100% EAS保证,全功能可靠性批准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 负载开关:适用于需要频繁切换的电路。
    - 电池保护:可提供过流保护和短路保护。
    - 不间断电源系统:作为关键组件确保系统的稳定运行。
    使用建议:
    - 在使用过程中注意散热管理,特别是在高电流和高频率操作时。
    - 确保正确的驱动电压和电流以避免热损坏。

    5. 兼容性和支持


    WSP14N10具有良好的兼容性,可以与多种其他电子元件和设备一起使用。Winsok公司提供了详细的技术文档和支持服务,帮助用户正确安装和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或使用外部冷却风扇。
    - 问题2:驱动电压不稳定导致产品性能下降。
    - 解决方案:检查驱动电路,确保驱动电压稳定在指定范围内。

    7. 总结和推荐


    WSP14N10是一款高性能的N-Channel MOSFET,特别适合应用于负载开关、电池保护和不间断电源系统等领域。其先进的技术特性和高可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在需要高效、可靠性能的电子系统中使用WSP14N10。
    此篇文章总结了WSP14N10的主要特性和应用指南,希望能够帮助用户更好地理解和使用这款出色的电子元器件。

WSP14N10参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
通用封装 SOP-8L

WSP14N10数据手册

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WSP14N10封装设计

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