处理中...

首页  >  产品百科  >  WSD1216DN22

WSD1216DN22

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2.5W 900mV@ 250uA 12V 20mΩ@ 4.5V,9.4A 9.4A DFN2X2-6S 贴片安装
供应商型号: 14M-WSD1216DN22 DFN2*2
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD1216DN22

WSD1216DN22参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 12V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV@ 250uA
最大功率耗散 2.5W
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 4.5V,9.4A
FET类型 -
Id-连续漏极电流 9.4A
通用封装 DFN2X2-6S
安装方式 贴片安装

WSD1216DN22数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD1216DN22 WSD1216DN22数据手册

WSD1216DN22封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.0441
50+ ¥ 0.9827
150+ ¥ 0.8771
500+ ¥ 0.6572
3000+ ¥ 0.6326
9000+ ¥ 0.6142
库存: 3000
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336