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WSR80N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 150W(Tc) 4V@ 250uA 100V 13mΩ@ 10V,30A 85A TO-220-3L
供应商型号: WSR80N10 TO-220-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR80N10

WSR80N10参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 150W(Tc)
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@ 10V,30A
通道数量 -
Id-连续漏极电流 85A
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-220-3L

WSR80N10数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSR80N10 WSR80N10数据手册

WSR80N10封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 3.0321
150+ ¥ 2.9412
250+ ¥ 2.8529
库存: 6688
起订量: 50 增量: 50
交货地:
最小起订量为:50
合计: ¥ 151.6
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