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WSR80N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 150W(Tc) 4V@ 250uA 100V 13mΩ@ 10V,30A 85A TO-220-3L
供应商型号: WSR80N10 TO-220-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR80N10

WSR80N10概述

    # WSR80N10 N-Channel MOSFET 技术概述

    产品简介


    WSR80N10 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,采用先进的深槽技术,具有极高的单元密度。这款 MOSFET 在同步降压转换器应用中表现出色,提供卓越的 RDS(on)(导通电阻)和门极电荷性能。WSR80N10 符合 RoHS 和绿色环保要求,具备 100% 雪崩能量保证,是一款经过全面功能可靠性验证的产品。适用于电视转换器、DC-DC 转换器及 LED 电视背光等电力管理领域。

    技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏-源电压 | - | - | 100 | - | V |
    | VGS | 栅-源电压 | - | ±25 | - | - | V |
    | ID@TC=25℃ | 持续漏电流(TJ=25℃) | VGS @ 10V | - | 85 | - | A |
    | ID@TC=100℃ | 持续漏电流(TJ=100℃) | VGS @ 10V | - | 65 | - | A |
    | IDM | 脉冲漏电流 | TC=25℃ | - | - | 200 | A |
    | EAS | 雪崩能量 | 单脉冲,L=0.5mH | 160 | - | - | mJ |
    | PD@TC=25℃ | 总功耗 | TC=25℃ | - | 150 | - | W |
    | PD@TC=100℃ | 总功耗 | TC=100℃ | - | 75 | - | W |
    | RθJA | 结-环境热阻 | - | 1 | 50 | - | °C/W |
    | RθJC | 结-外壳热阻 | - | 1 | 1.1 | - | °C/W |
    | BVDSS | 漏-源击穿电压 | VGS=0V, ID=250μA | 100 | - | - | V |

    产品特点和优势


    - 高单元密度:采用先进的深槽技术,提高功率效率并减少芯片面积。
    - 低 RDS(on):典型值仅为 13mΩ,适合高频开关应用。
    - 绿色设计:符合 RoHS 和绿色环保标准,适合环保需求的应用场景。
    - 雪崩能量保证:100% EAS 测试,确保在恶劣工作条件下的可靠性。
    - 优秀的瞬态性能:具备极低的门极电荷和反向恢复时间,有助于提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电视转换器:用于高效的电视电源转换。
    - LED 背光驱动:提供稳定的电流输出以驱动 LED 背光源。
    - DC-DC 转换器:适合高效率同步降压拓扑结构。
    使用建议
    - 在选择外部元件时,应充分考虑热管理设计,确保结温不超过 150℃。
    - 使用大尺寸散热片来降低结壳热阻 RθJC 的影响。
    - 针对高频开关应用,建议优化 PCB 布局以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    WSR80N10 支持标准 TO-220AB 封装,可直接替换市场上同类产品。厂商提供全面的技术支持,包括样品请求、设计咨询和质量保障。建议用户联系当地经销商获取更多详细信息和支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何判断产品是否处于过热状态?
    - 答:通过测量结温,若接近 150℃,应采取措施如加大散热片面积或降低工作电流。
    2. 问:如何避免栅极振荡?
    - 答:增加栅极电阻 Rg 至推荐值范围(1.0~1.8Ω),并在 PCB 上布线时靠近 MOSFET。
    3. 问:能否承受短时间内的高脉冲电流?
    - 答:可以,但需注意脉冲宽度不超过 300 微秒,占空比小于 2%。

    总结和推荐


    WSR80N10 N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率器件,特别适合于需要高效率和紧凑设计的电力管理系统。其卓越的热管理和低导通电阻使其成为同类产品中的佼佼者。对于需要进行高效电力转换的设计项目,我们强烈推荐此款产品。
    如果您正在寻找能够平衡性能与成本的解决方案,WSR80N10 是一个值得信赖的选择!

WSR80N10参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 85A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 150W(Tc)
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@ 10V,30A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
通用封装 TO-220-3L

WSR80N10数据手册

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WSR80N10封装设计

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