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WST6066

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WST2060 SOT-23-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST6066

WST6066概述

    # 电子元器件产品技术手册:WST6066 N-Ch MOSFET

    产品简介


    WST6066 是一款高性能的沟槽型 N 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度,适用于多种同步降压转换器应用。它不仅符合 RoHS 和绿色产品标准,而且保证100% 的单脉冲雪崩能量(EAS),可靠性高。该产品适合用于笔记本电脑、移动设备、网络电源系统及负载开关等领域的高频点对点同步降压转换器。

    技术参数


    电气特性
    | 参数名称 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS 管漏电压 | 60 | V |
    | VGS 管栅电压 ±20 V |
    | ID 连续漏电流(VGS@10V) | 25℃时 5.2 A |
    70℃时 4.5 A |
    | IDM 脉冲漏电流 | 18 | A |
    | EAS 单脉冲雪崩能量 15.4 mJ |
    | IAS 雪崩电流 | 21 | A |
    | PD 总功率耗散(25℃) 1.5 W |
    | TSTG 存储温度范围 -55 150 | ℃ |
    | TJ 工作结温范围 -55 150 | ℃ |
    | RθJA 结-环境热阻 | 85 | ℃/W |
    | RθJC 结-外壳热阻 | 25 | ℃/W |
    开关特性
    | 参数名称 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | Qg 总栅极电荷(10V) 19 | 26.6 | nC |
    | Qgs 栅源电荷 2.6 | 3.6 | nC |
    | Qgd 栅漏电荷 4.1 | 5.7 | nC |
    | Td(on) 开通延迟时间 3 | 6 | ns |
    | Tr 上升时间 34 | 61 | ns |
    | Td(off) 关断延迟时间 23 | 46 | ns |
    | Tf 下降时间 6 | 12 | ns |

    产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:确保卓越的低电阻和栅极电荷性能。
    - 超低栅极电荷:提高开关速度,降低功耗。
    - 出色的 dv/dt 效应下降:确保稳定可靠的工作状态。
    - 100% EAS 保证:确保产品在高应力下的可靠性。
    - 绿色环保设备:符合RoHS和绿色产品标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高频点对点同步降压转换器:适用于笔记本电脑、移动设备、网络电源系统及负载开关等领域。
    - 网络电源系统:适合数据中心和其他高可靠性要求的应用场景。
    使用建议
    - 散热管理:由于其较高的总功率耗散(1.5W),需要良好的散热设计以保持工作温度在合理范围内。
    - 测试条件:如表所示,在进行任何操作之前,请确保所用条件与数据表中一致,尤其是对于脉冲电流等极端情况。

    兼容性和支持


    WST6066 与现有的大多数电源系统兼容。厂商提供了详细的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解并使用该产品。此外,Winsok公司还提供产品故障排除工具和技术支持服务,确保用户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何处理过高的结温?
    解决方案:确保良好的散热措施,如增加散热片或采用高效的散热方式,以维持结温在安全范围内。
    问题2:开关时间不符合预期?
    解决方案:检查栅极电阻和驱动信号是否正确配置。根据实际情况调整栅极电阻,以达到最佳开关时间。
    问题3:栅极电荷过高?
    解决方案:考虑优化电路设计,减少不必要的栅极电荷,以降低功耗和提升效率。

    总结和推荐


    WST6066 N-Ch MOSFET 是一款性能卓越、可靠性高的电子元器件。它的高密度沟槽技术和优秀的栅极电荷特性使其在高频应用中表现出色。适用于各种电源系统及负载开关领域,特别是在需要低功耗和高效能的场合。强烈推荐在这些应用场景中使用 WST6066,但请注意在极端条件下进行适当的安全设计。

WST6066参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOT-23-3L

WST6066数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST6066 WST6066数据手册

WST6066封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.9444
50+ ¥ 0.8889
150+ ¥ 0.7933
500+ ¥ 0.5944
3000+ ¥ 0.5722
9000+ ¥ 0.5556
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