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WST3426

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 5.4nC@ 4.5V 60mΩ@ 4.5V,1.8A 3A SOT-23L
供应商型号: 14M-WST2034 SOT-23-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3426

WST3426概述

    WST3426 N-Ch MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WST3426是一款高性能沟槽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它特别适用于高频点负载同步整流应用,如移动电话、笔记本电脑、超移动PC(UMPC)和视频图形阵列(VGA)等小型功率转换和负载开关应用。此外,它还广泛应用于网络DC-DC电源系统等领域。

    2. 技术参数


    | 参数符号 | 参数描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 20 | V |
    | VGS | 栅源电压 | ±12 V |
    | ID | 持续漏电流 3.0 A |
    | RDS(ON) | 导通电阻 60 | 75 | mΩ |
    | PD | 总耗散功率 1.0 W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 150 | ℃ |
    | RθJA | 结-壳热阻 1 | 200 | ℃/W |
    | RθJC | 结-板热阻 1 | 75 | ℃/W |

    3. 产品特点和优势


    - 先进的高密度单元格沟槽技术:使得导通电阻RDS(ON)更小,栅极电荷更少,从而提高了开关速度。
    - 超低栅极电荷:降低了驱动功率损耗,提高了效率。
    - 出色的Cdv/dt影响衰减:在快速开关时保持良好的性能。
    - 绿色环保设备:符合RoHS标准,无铅无卤素。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:适用于小功率开关应用和负载开关应用,如移动通信设备、计算机电源管理系统、网络DC-DC转换器等。
    使用建议:
    - 确保在设计中正确管理散热,特别是当工作环境温度较高时,需要采用适当的散热措施。
    - 在高速开关应用中,注意控制栅极电阻以减少开关损耗。
    - 根据具体的应用需求选择合适的VGS阈值和漏源电压VDS。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于广泛的电路设计,尤其是需要高效、低损耗的场合。
    - 支持:由Winsok公司提供技术支持,包括产品文档、技术咨询及售后支持。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何确定工作环境下的最大功率损耗?
    - 解决方案:根据环境温度和器件最大结温限制,计算允许的最大功率损耗,以确保器件安全运行。
    问题2:如何优化栅极驱动以提高效率?
    - 解决方案:通过调整栅极电阻Rg,选择合适的栅极电荷Qg,以降低驱动功率损耗,提高开关效率。

    7. 总结和推荐


    总结:WST3426是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具备极高的性能指标和可靠的设计。它的低导通电阻和超低栅极电荷使其成为众多高效率应用的理想选择。
    推荐:强烈推荐用于高频和高效率的小功率开关应用,特别是在移动设备、计算机电源管理和网络DC-DC转换器等领域。

WST3426参数

参数
配置 -
栅极电荷 5.4nC@ 4.5V
通道数量 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@ 4.5V,1.8A
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 3A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOT-23L

WST3426数据手册

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WST3426封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.2387
50+ ¥ 0.2246
150+ ¥ 0.2005
500+ ¥ 0.1502
3000+ ¥ 0.1446
9000+ ¥ 0.1404
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