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WST8205

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2.1W 1.2V@ 250uA 20V 28mΩ@ 4.5V,5.5A 5.8A SOT-23-6L 贴片安装
供应商型号: 14M-WST2083 SOT-23-6L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST8205

WST8205概述

    # WST8205 双 N 沟道 MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    WST8205 是一款高性能的双 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用先进的深槽技术制造。其极高的单元密度确保了卓越的低导通电阻(Rdson)和栅极电荷特性,适合高频点对点同步降压转换器、便携式设备(如微型笔记本电脑、平板电脑等)及网络通信领域的 DC-DC 电源系统。产品符合 RoHS 和绿色产品标准,具备可靠的功能性和安全性。
    主要功能与应用领域
    - 高频点对点同步降压转换
    - 小功率开关及负载开关
    - 用于移动计算设备(如迷你笔电、平板电脑)
    - 网络与数据中心的 DC-DC 转换系统

    技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 20 V |
    | VGS | 栅源电压 | ±12 V |
    | ID@25℃ | 持续漏电流 | 4.5V 时 | 5.8 A |
    | ID@70℃ | 持续漏电流 | 4.5V 时 | 3.8 A |
    | IDM | 脉冲漏电流 16 | A |
    | PD@25℃ | 总耗散功率 2.1 W |
    | RθJA | 结-环境热阻 125 °C/W |
    | RθJC | 结-壳体热阻 70 °C/W |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 20 V |
    | Rdson | 静态漏源导通电阻 24 | 28 | mΩ |
    特性

    总结


    - 极高单元密度的深槽工艺
    - 极低的导通电阻和栅极电荷
    - 优异的动态电容控制能力
    - 符合环保要求的绿色设备

    产品特点和优势


    WST8205 的关键特性使其在电源管理和高速开关电路中表现出色。主要优势如下:
    1. 高效能表现:Rdson 低至 24mΩ,保证极低导通损耗,提高整体效率。
    2. 高频率操作:低栅极电荷确保了快速开关,适用于高频切换电路。
    3. 可靠性与环保:通过 RoHS 和绿色认证,满足严格的环保标准。
    4. 卓越的温度适应性:支持宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),可适用于极端环境。
    这些特点使其成为现代电子产品中不可或缺的关键元器件,尤其适用于小功率设备的开关应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 移动设备充电模块:WST8205 在智能手机和平板电脑充电器中提供高效的电力传输。
    2. 网络设备电源管理:用于路由器和交换机中的 DC-DC 转换器以提升能效。
    3. 车载娱乐系统:适合作为汽车娱乐系统电源管理的高效开关元件。
    使用建议
    - 确保电路设计中加入有效的散热措施,避免过温问题。
    - 使用推荐的栅极驱动电阻(Rg=1.5Ω~3Ω),以优化开关速度和降低 EMI。
    - 注意脉冲模式下电流限制(IDM=16A),避免因超载导致损坏。

    兼容性和支持


    兼容性
    WST8205 采用 SOT-23-6L 封装,适用于广泛的应用场合。同时,它具有出色的热稳定性和高频率性能,易于与其他常见的电子元器件兼容。
    厂商支持
    Winsok 提供全面的技术文档和支持服务,包括详细的参考设计指南和在线技术支持。如有需要,请联系当地授权分销商获取进一步帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免器件过热?
    解决方法:通过合理布局散热器并减少脉冲工作时间,将结温控制在安全范围内(≤150°C)。
    2. 问题:开关速度不稳定?
    解决方法:调整栅极驱动电阻至推荐值,确保门极电荷 Qg 的稳定性。
    3. 问题:噪声过大?
    解决方法:增加滤波电容以减小高频干扰,同时优化 PCB 布局。

    总结和推荐


    WST8205 双 N 沟道 MOSFET 以其高效能、低成本和绿色环保的特点,在众多小功率开关应用中脱颖而出。凭借其卓越的导通电阻、出色的开关性能和广泛的温度适用性,非常适合高频点对点同步降压电路和便携设备电源管理系统。我们强烈推荐 WST8205 作为高性能开关电源的理想选择,特别适用于消费电子和通信领域。

WST8205参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 4.5V,5.5A
最大功率耗散 2.1W
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5.8A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250uA
通用封装 SOT-23-6L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WST8205数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST8205 WST8205数据手册

WST8205封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.4462
50+ ¥ 0.42
150+ ¥ 0.3749
500+ ¥ 0.2809
3000+ ¥ 0.2704
9000+ ¥ 0.2625
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