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WSD2018BDN22

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSD2018BDN22 DFN2X2-6S
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD2018BDN22

WSD2018BDN22概述

    WSD2018BDN22 高频点负载同步开关 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSD2018BDN22 是一款高性能的沟槽型 N 沟道 MOSFET,专为小功率开关和负载切换应用而设计。它采用先进的高密度沟槽技术,具备超低栅极电荷、优异的 Cdv/dt 效应下降等特点。该产品符合 RoHS 和绿色环保标准,并且具备全功能可靠性认证。主要应用于高频率点负载同步开关、笔记本电脑(MB/NB)、超级移动个人计算机(UMPC)、视频图形阵列(VGA)网络直流-直流电源系统及负载开关等。

    2. 技术参数


    - 最大漏源电压 (VDSS): 12V
    - 最大栅源电压 (VGSS): ±8V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TA=25°C: 12.3A
    - TA=70°C: 9.8A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 49A
    - 最大功耗 (PD): 2.8W
    - 热阻 (RthJA): 45°C/W
    - 工作温度/存储温度: -55~150°C
    电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): VGS=0V, ID=250μA 时 12V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): VDS=10V, VGS=0V 时 1μA
    - 栅阈电压 (VGS(TH)): VGS=VDS, ID=250μA 时 0.4V
    - 栅漏电流 (IGSS): VGS=±8V, VDS=0V 时 ±100nA
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS=4.5V, ID=8A 时 8.6~11.5mΩ
    - VGS=2.5V, ID=4A 时 12~18mΩ
    - 二极管正向电压 (VSD): ISD=1A, VGS=0V 时 1V
    - 二极管正向电流 (IS): TA=25°C 时 2.8A
    - 总栅极电荷 (Qg): 8.5nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 1.5nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 2.2nC
    - 开启动态延迟时间 (td(on)): 8ns
    - 开启动态上升时间 (tr): 5ns
    - 关断动态延迟时间 (td(off)): 14ns
    - 关断动态下降时间 (tf): 12ns
    - 输入电容 (Ciss): 850pF
    - 输出电容 (Coss): 180pF
    - 反向传输电容 (Crss): 95pF

    3. 产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:提供更高的集成度和更好的性能。
    - 超低栅极电荷:减少功耗,提高效率。
    - 优异的 Cdv/dt 效应下降:确保快速响应时间和更低的损耗。
    - 绿色环保设备:符合RoHS和绿色环保标准。
    - 优秀的开关特性:提供出色的导通电阻和栅极电荷,适用于多种应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高频率点负载同步开关:适用于需要高频工作的场景,如笔记本电脑、UMPC等。
    - 小型电源转换系统:适合于负载开关和直流-直流电源转换的应用。
    - 负载开关:可以用于负载的开启和关闭控制,特别是在高频率环境下。
    使用建议:
    - 确保散热良好:由于较高的功耗,必须保证良好的散热条件,以防止过热损坏。
    - 注意电压和电流限制:使用时需严格遵守最大电压和电流限制,避免超载导致的损坏。
    - 正确选择 PCB 布局:合理设计 PCB 布局,确保信号完整性和稳定性。

    5. 兼容性和支持


    WSD2018BDN22 与其他电子元件具有良好的兼容性,可以广泛应用于各种电路设计中。Winsok公司提供了详细的技术文档和支持服务,用户可以通过官方网站获得技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 设备在高温下出现过热问题。
    - A: 确保设备有良好的散热条件,可以增加散热片或者改善气流设计。

    - Q: 设备无法达到预期的工作频率。
    - A: 检查电路设计和电源管理,确保供电稳定,减少不必要的信号干扰。
    - Q: 设备出现异常电流或电压波动。
    - A: 确认输入电压和电流的稳定性,检查是否有短路或负载过大的情况。

    7. 总结和推荐


    WSD2018BDN22 是一款高效能的 MOSFET,具备优良的开关特性和较低的功耗。它非常适合用于高频点负载同步开关、小型电源转换系统以及负载开关等应用场合。如果您的项目对这些特性有需求,我们强烈推荐使用 WSD2018BDN22。Winsok公司提供的技术支持和服务将有助于您更好地利用这款产品,实现最佳性能。

WSD2018BDN22参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 DFN2X2-6S

WSD2018BDN22数据手册

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WSD2018BDN22封装设计

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