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WSD1614DN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2nC@ 4.5V 230mΩ@4.5V,550mA 1.4A DFN-1006-3L
供应商型号: 14M-WSD1614DN DFN1.0X0.6-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD1614DN

WSD1614DN概述

    WSD1614DN N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WSD1614DN 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造。该器件具备出色的导通电阻(RDS(ON)),低栅极电荷,且能在最低 1.8V 的栅极电压下运行。WSD1614DN 适用于电池保护应用或其它开关应用,是电源管理和负载开关的理想选择。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | BVDSS (漏源击穿电压) 20 V |
    | RDS(ON) (导通电阻) | 230 mΩ |
    | ID (连续漏极电流) | 1.4 A |
    | IDM (最大脉冲漏极电流) 3 | A |
    | ESD (静电放电耐压) | 1.5 KV |
    | TJ/TSTG (工作/存储温度范围)| -55 150 | ℃ |
    | PD (最大耗散功率) | 0.55 W |
    | Qg (总栅极电荷) 2 nC |
    | Ciss (输入电容) 43 pF |
    | Coss (输出电容) 9 pF |
    | Crss (反向传输电容) 6 pF |

    产品特点和优势


    WSD1614DN 的显著特点是:
    - 高功率和电流处理能力:能够处理高达 3A 的脉冲电流。
    - 低导通电阻:230mΩ 的典型导通电阻,确保较低的损耗和高效的能量转换。
    - 宽工作温度范围:可在 -55℃ 到 150℃ 的温度范围内正常工作。
    - 低栅极电荷:2nC 的总栅极电荷有助于减少开关损耗。
    - 高静电放电耐压:1.5KV 的 ESD 耐压能力提升了产品的可靠性和耐用性。
    - 封装小巧:采用小型化的 DFN1.0X0.6-3L 封装,节省空间,便于 PCB 布局设计。

    应用案例和使用建议


    WSD1614DN 可广泛应用于电池保护电路和负载开关。例如,在笔记本电脑和平板电脑中,它可以用作电池保护电路中的关键组件,确保设备的安全运行。对于需要高效能开关的应用,如无线充电设备和高速电机驱动,WSD1614DN 也是理想的选择。
    使用建议:
    1. 在高频率开关应用中,考虑使用较低的栅极电压以降低开关损耗。
    2. 高温环境下使用时,注意散热管理,避免过热。
    3. 设计时要考虑合理的 PCB 布局,尽量减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    WSD1614DN 支持多种标准电源接口,并且与大多数常见的电源管理芯片和控制器具有良好的兼容性。Winsok 提供详细的技术支持文档和快速响应的客户支持服务,确保用户能够在应用过程中获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在高温环境下无法正常工作。
    解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或风扇。

    2. 问题:设备出现过热现象。
    解决方案:检查负载电流是否过大,调整电路设计以减少发热。
    3. 问题:设备的 ESD 耐压不足。
    解决方案:使用外部 ESD 保护二极管,并确保接地良好。

    总结和推荐


    综上所述,WSD1614DN N-Channel MOSFET 凭借其出色的性能和可靠性,成为各种电源管理和开关应用的理想选择。其低导通电阻、高功率和电流处理能力以及紧凑的封装使其在市场上具有很高的竞争力。推荐在对尺寸和性能要求较高的应用场景中使用 WSD1614DN,以实现最佳的系统性能和稳定性。

WSD1614DN参数

参数
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 1.4A
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 230mΩ@4.5V,550mA
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
栅极电荷 2nC@ 4.5V
通用封装 DFN-1006-3L
应用等级 工业级

WSD1614DN数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD1614DN WSD1614DN数据手册

WSD1614DN封装设计

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