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WST2304

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST2304 SOT-23L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2304

WST2304概述

    WST2304 N-Ch MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Ch MOSFET)
    主要功能: 高密度Trench技术、低门极电荷、出色的Cdv/dt效应衰减等。适用于小型功率开关和负载开关应用。
    应用领域: 便携式和电池供电产品的电源管理、单节电池组保护、负载开关等。

    2. 技术参数


    - VDS (漏源电压): 20V
    - VGS (栅源电压): ±8V
    - ID@Tc=25℃ (连续漏电流): 6.3A (VGS @ 4.5V)
    - ID@Tc=70℃ (连续漏电流): 5.0A (VGS @ 4.5V)
    - IDM (脉冲漏电流): 22A
    - PD@TA=25℃ (总耗散功率): 1.0W
    - TSTG (存储温度范围): -55°C 至 150°C
    - TJ (工作结温范围): -55°C 至 150°C
    - RθJA (结至环境热阻): 110°C/W
    - RθJC (结至外壳热阻): 70°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高密度Trench技术:提供更小的漏源电阻(RDSON),适合高效率应用。
    - 低门极电荷:减少开关损耗,提高工作效率。
    - 出色的Cdv/dt效应衰减:降低噪声干扰,提高系统的稳定性和可靠性。
    - 环保设备可用:符合RoHS标准,满足绿色产品要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:便携式设备、电池供电产品中的电源管理、单节电池组保护、负载开关等。
    - 使用建议:考虑到最大功耗限制,建议在设计时预留一定的安全余量。在高温度环境下使用时,应特别注意散热设计以确保长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他常见的电子元器件配合使用,如常见的FR-4 PCB板。详细的互操作性测试可以在制造商的产品文档中找到。
    - 支持和维护:Winsok公司提供详尽的技术支持,包括在线帮助、常见问题解答和客户技术支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 长期高温工作是否会损坏产品?
    解决方案: 需要确保在规定的温度范围内使用,可以通过有效的散热措施来延长使用寿命。
    - 问题2: 在脉冲模式下工作的电流值应如何控制?
    解决方案: 需要严格按照手册中的规定进行操作,避免超过最大脉冲电流值。

    7. 总结和推荐


    综合评估:WST2304是一款高性能的N沟道MOSFET,具有优秀的RDSON和门极电荷特性,适用于多种小型功率开关和负载开关的应用。其高密度Trench技术和低门极电荷设计使其成为市场上极具竞争力的产品。
    推荐:强烈推荐使用WST2304,尤其适用于需要高效、低损耗的应用场合。如果能合理考虑散热和使用环境温度,该产品将表现出色。

WST2304参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通用封装 SOT-23L

WST2304数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST2304 WST2304数据手册

WST2304封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.2304
9000+ ¥ 0.2235
15000+ ¥ 0.2168
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