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WSD3028DN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 5W(Tc) 2.5V@ 250uA 30V 25mΩ@ 10V,12A 25A DFN3X3-8 贴片安装
供应商型号: 14M-WST2100 DFN3X3-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD3028DN

WSD3028DN概述

    # WSD3028DN N-Ch MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    WSD3028DN 是一款高性能的沟槽式N通道MOSFET,具有极高的单元密度,提供了出色的导通电阻(RDSON)和门极电荷,适用于大多数同步降压转换器应用。这款MOSFET完全符合RoHS标准和绿色产品要求,保证100%的单脉冲雪崩能量,具备全面的功能可靠性和批准。
    主要功能
    - 极高单元密度
    - 出色的RDSON和门极电荷
    - 符合RoHS和绿色产品标准
    - 100% EAS保证
    - 高频点对点负载同步降压转换器
    - 网络DC-DC电源系统
    - 负载开关
    应用领域
    - 移动设备(MB/NB/UMPC/VGA)
    - 网络设备
    - 工业控制

    技术参数


    以下是WSD3028DN的详细技术规格:
    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源电压 30 V |
    | VGS | 门源电压 ±20 V |
    | ID | 持续漏电流(TC=25℃) | VGS @ 10V 19 A |
    持续漏电流(TC=100℃) | VGS @ 10V 18 A |
    持续漏电流(TA=25℃) | VGS @ 10V 25 A |
    持续漏电流(TA=70℃) | VGS @ 10V 15 A |
    | IDM | 脉冲漏电流 | 40 | A |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 21 mJ |
    | AAS | 雪崩电流 15 A |
    | PD | 总功率耗散(TC=25℃) 5 W |
    总功率耗散(TA=25℃) 2.5 W |
    | TSTG | 存储温度范围 -55 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 -55 150 | ℃ |
    | RθJA | 结到环境热阻 | 50 | ℃/W |
    | RθJC | 结到外壳热阻 | 4 | ℃/W |

    产品特点和优势


    WSD3028DN MOSFET具备以下显著特点和优势:
    - 先进高密度沟槽技术:提供更紧凑的设计和更低的导通电阻。
    - 超低门极电荷:提高效率,减少功耗。
    - 优异的CdV/dt效应衰减:提高开关性能,降低电磁干扰。
    - 100% EAS保证:确保单脉冲雪崩能量的安全性。
    - 环保设计:采用绿色材料,符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高频点对点负载同步降压转换器:适用于移动设备和网络设备。
    - 网络DC-DC电源系统:用于数据中心和服务器。
    - 负载开关:广泛应用于工业控制和消费电子。
    使用建议
    - 在设计高频应用时,应注意门极电荷的影响,选择合适的驱动电路以减少开关损耗。
    - 在高温环境下工作时,考虑使用散热片或强制风冷以维持较低的工作温度,从而延长产品寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSD3028DN 具有标准引脚配置,可直接替换市场上常见的类似型号MOSFET。
    - 技术支持:Winsok公司提供详尽的技术文档和支持,包括产品手册、应用笔记和在线论坛。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何确保MOSFET不超出最大额定值?
    - A:通过使用适当的驱动电路和散热措施,确保MOSFET在安全范围内工作。
    2. Q:在高温环境下,MOSFET的性能是否会下降?
    - A:是的,高温会增加导通电阻并降低漏电流。为防止这种情况,应采用有效的散热方案。
    3. Q:如果MOSFET发生雪崩击穿,该如何处理?
    - A:定期检查和测试雪崩能量参数,避免超过EAS的最大额定值。

    总结和推荐


    综合评估
    WSD3028DN是一款高性能的N通道MOSFET,具备出色的导通电阻和门极电荷,适用于高频同步降压转换器和其他高可靠性应用。其先进的沟槽技术和环保设计使其在市场上具有较高的竞争力。
    推荐
    鉴于其出色的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐使用WSD3028DN MOSFET。无论是开发新的电源管理系统还是升级现有的设备,它都是一个非常理想的选择。

WSD3028DN参数

参数
最大功率耗散 5W(Tc)
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 25A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 10V,12A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 DFN3X3-8
安装方式 贴片安装

WSD3028DN数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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WSD3028DN封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.9822
50+ ¥ 0.9245
150+ ¥ 0.825
500+ ¥ 0.6182
3000+ ¥ 0.5951
9000+ ¥ 0.5778
库存: 13
起订量: 5 增量: 3000
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