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WSF40N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 52.1W(Tc) 20V 4V@ 250uA 60nC 2个N沟道 100V 38mΩ@ 10V,20A 40A 5.387nF TO-252-2L
供应商型号: 31M-WSF40N10
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF40N10

WSF40N10参数

参数
最大功率耗散 52.1W(Tc)
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 60nC
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.387nF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Rds(On)-漏源导通电阻 38mΩ@ 10V,20A
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 40A
通道数量 1
通用封装 TO-252-2L
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WSF40N10数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSF40N10 WSF40N10数据手册

WSF40N10封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.41
10+ ¥ 1.87
30+ ¥ 1.66
100+ ¥ 1.37
500+ ¥ 1.23
25000+ ¥ 1.16
库存: 5000
起订量: 1 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 2.41
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