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WSF30100D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 45nC@ 10V 3.6mΩ@ 10V,30A 100A TO-252-2L
供应商型号: WSF30100D
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF30100D

WSF30100D概述

    WSF30100D N-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSF30100D 是一款高性能的沟槽式 N 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度,适用于高频同步降压转换器、网络 DC-DC 电源系统及电源工具应用等。该产品符合 RoHS 和绿色产品标准,保证了全功能可靠性。

    技术参数


    以下是 WSF30100D 的关键技术参数:
    - 最大漏源电压(VDS): 30 V
    - 最大栅源电压(VGSS): ±20 V
    - 连续漏极电流(VGS@10V, TC=25℃): 100 A
    - 连续漏极电流(VGS@10V, TC=100℃): 59 A
    - 雪崩电流(IAS): 19.5 A
    - 最大耗散功率(PD): 68 W (TC=25℃)
    - 热阻抗(RθJA): 62 ℃/W (稳态),25 ℃/W (t ≤10s)
    - 存储温度范围(TSTG): -55 至 +175 ℃

    产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:提供出色的 RDS(on) 和栅极电荷。
    - 低栅极电荷:提高效率。
    - 优异的 CdV/dt 效应下降:改善开关性能。
    - 100% EAS 保证:保证雪崩耐受能力。
    - 绿色环保设备:符合RoHS和绿色产品要求。

    应用案例和使用建议


    - 高频同步降压转换器:适用于需要高频工作的点负载场合。
    - 网络 DC-DC 电源系统:为网络设备提供稳定的电源。
    - 电源工具应用:适用于电动工具等需要高可靠性的应用。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,注意散热,确保环境温度不超过100℃。
    - 设计电路时,选择合适的栅极电阻以优化开关性能。
    - 雪崩保护措施对于可靠工作至关重要。

    兼容性和支持


    WSF30100D 支持广泛的电压和电流范围,适合多种应用。厂商提供了详细的技术支持文档,帮助客户在设计过程中解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 工作温度超过最大限制导致设备损坏。
    - 解决方案: 使用散热器并监测环境温度。

    - 问题: 开关频率过高引起过热。
    - 解决方案: 降低开关频率,增加栅极电阻。

    总结和推荐


    WSF30100D 具有出色的性能和可靠性,特别适用于高频和高效率的应用。推荐在各种高性能电源管理应用中使用此产品,尤其是在需要低功耗和高效率的场景下。

WSF30100D参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 100A
栅极电荷 45nC@ 10V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.6mΩ@ 10V,30A
通用封装 TO-252-2L

WSF30100D数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSF30100D WSF30100D数据手册

WSF30100D封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.3067
10+ ¥ 1.145
30+ ¥ 1.0757
100+ ¥ 0.9892
500+ ¥ 0.9507
1000+ ¥ 0.8971
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