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WSR18P10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSR18P10 TO-220-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR18P10

WSR18P10概述


    产品简介


    WSR18P10 P-Ch MOSFET 是一款高性能的Trench技术P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,适用于高频点对点同步小型功率开关和负载开关应用。它符合RoHS标准和绿色环保产品要求,具备全功能可靠性认证。这款产品特别适用于便携式电脑(MB/NB/UMPC)、视频图形阵列(VGA)以及其他需要高频率和小尺寸的设备。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS):-100 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID)@ Tc=25℃:-25 A(VGS @ -10V)
    - 连续漏极电流(ID)@ Tc=70℃:-15 A(VGS @ -10V)
    - 脉冲漏极电流(IDM):-80 A
    - 总功耗(PD)@ Tc=25℃:89 W
    - 存储温度范围(TSTG):-55 to 150 ℃
    - 工作结温范围(TJ):-55 to 150 ℃
    - 热阻(RθJA):62 ℃/W
    - 热阻(RθJC):1.4 ℃/W
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):80 mΩ(VGS=-10V,ID=-25A)

    产品特点和优势


    1. 先进的高密度Trench技术:实现了极低的栅电荷和出色的Cdv/dt效应下降。
    2. 超低栅电荷:有助于提高开关效率。
    3. 绿色环保设备:符合RoHS和绿色环保产品要求。
    4. 出色的耐高温能力:最高工作温度可达150℃。
    5. 优秀的可靠性:已通过全功能可靠性认证。

    应用案例和使用建议


    WSR18P10 MOSFET 主要应用于以下几个领域:
    - 高频点对点同步小型功率开关:如便携式电脑、视频图形阵列等。
    - 网络DC-DC电源系统:适用于数据中心、服务器等领域。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,应确保栅极电阻值与MOSFET的额定参数相匹配,以避免过大的瞬态电流导致器件损坏。
    - 在应用过程中,应注意散热设计,尤其是在高温环境下工作时,应采取有效的散热措施,避免因过热导致器件失效。

    兼容性和支持


    WSR18P10 MOSFET 与其他电子元器件和设备的兼容性良好。厂商提供了详细的规格书和技术支持,包括应用指南、故障排除手册等,以帮助用户更好地使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:长时间在高电流下工作导致MOSFET发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或采用外部风扇进行强制风冷,确保器件的工作温度不超过最大允许值。
    2. 问题:栅极和源极间存在泄漏电流。
    - 解决方案:检查焊点是否有松动,确保焊接质量良好;更换可能损坏的栅极电阻。
    3. 问题:输出波形不稳定,存在较大的波动。
    - 解决方案:检查电路板上的电源滤波电路是否正常工作,必要时增加电容进行滤波。

    总结和推荐


    WSR18P10 P-Ch MOSFET 凭借其高密度Trench技术、超低栅电荷和优异的可靠性,在高频点对点同步小型功率开关和负载开关应用中表现出色。它不仅具备良好的耐高温性能,还符合环保要求。尽管其成本可能略高于其他普通MOSFET,但其卓越的性能和可靠性使其成为众多应用领域的理想选择。强烈推荐给需要高性能、高可靠性的应用场合。
    通过上述详细的技术参数和应用案例分析,可以看出WSR18P10 P-Ch MOSFET是一款极具市场竞争力的产品。无论是在小型电源转换还是负载开关领域,其表现都非常出色,值得推荐。

WSR18P10参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
通用封装 TO-220-3L

WSR18P10数据手册

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WSR18P10封装设计

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