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WSP8810

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSP8810 TSSOP-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP8810

WSP8810概述

    WSP8810 双 N-通道 MOSFET 产品技术手册

    1. 产品简介


    WSP8810 是一款高性能双 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频点对点同步电源系统及小型功率开关和负载开关应用。该产品符合 RoHS 和绿色产品标准,具有高密度沟槽技术和超低栅极电荷,适用于移动设备(如笔记本电脑、平板电脑和 UMPC)以及网络 DC-DC 电源系统中的小功率开关应用。

    2. 技术参数


    以下是 WSP8810 的主要技术参数:
    | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | - | - | 20 | V |
    | VGS | 栅源电压 | - | ±12 | - | V |
    | ID@Tc=25℃ | 漏电流(连续),VGS@4.5V | - | 7.5 | - | A |
    | ID@Tc=70℃ | 漏电流(连续),VGS@4.5V | - | 6 | - | A |
    | IDM | 脉冲漏电流 | - | 30 | - | A |
    | PD@TA=25℃ | 总耗散功率 | - | 1.25 | - | W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 | - | 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 | - | 150 | ℃ |
    | RθJA | 结到环境热阻 | - | 100 | - | ℃/W |
    | RθJC | 结到外壳热阻 | - | 70 | - | ℃/W |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | - | 20 | - | V |
    | RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 | - | 11.5 | 14.5 | mΩ |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | 0.5 | 0.7 | 1.0 | V |

    3. 产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:提供更低的导通电阻和更高的工作效率。
    - 超低栅极电荷:减少开关损耗,提高效率。
    - 优秀的 dv/dt 效应下降:改善动态性能。
    - 绿色设备可用:符合环保要求。
    - ESD保护:具备 2KV 的静电放电保护能力。

    4. 应用案例和使用建议


    WSP8810 可用于多种应用场合,例如:
    - 移动设备:为笔记本电脑、平板电脑和 UMPC 提供电力管理。
    - 网络设备:适用于 DC-DC 电源转换系统。
    使用建议:
    - 在高温环境下,确保散热设计合理,以避免过热损坏。
    - 注意栅极驱动信号的质量,确保适当的栅极电荷注入以优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    WSP8810 与多数主流平台兼容,适用于各种小功率开关应用。制造商提供了详细的文档和技术支持,确保用户能够顺利进行设计和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过高的工作温度导致 MOSFET 过热
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计,确保良好的热管理。
    - 问题:栅极驱动不足导致导通电阻增加
    - 解决方案:使用适当的栅极驱动器,确保充足的栅极电荷注入。

    7. 总结和推荐


    综上所述,WSP8810 是一款性能优异的小功率 MOSFET,适用于各种高效率的开关应用。其低导通电阻、超低栅极电荷和出色的热性能使其成为市场上极具竞争力的产品。建议在高密度、高效能的应用环境中优先考虑使用该产品。
    以上是关于 WSP8810 双 N-通道 MOSFET 的全面介绍,涵盖技术参数、产品特点、应用场景、使用建议、兼容性、常见问题及解决方案等内容。希望这份技术手册能帮助您更好地理解和应用这款产品。

WSP8810参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
通用封装 TSSOP-8L

WSP8810数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSP8810 WSP8810数据手册

WSP8810封装设计

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9000+ ¥ 0.5059
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