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WSD2090DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 11.05nC@ 4.5V 2.8Ω@4.5V,30A 80A DFN5X6-8L
供应商型号: 14M-WSD2090DN56 DFN5X6-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD2090DN56

WSD2090DN56概述

    WSD2090DN56 高性能N沟道MOSFET技术手册解析

    产品简介


    WSD2090DN56 是一种高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的单元密度。它特别适用于同步降压转换器应用,提供出色的低导通电阻(RDSON)和门极电荷(Gate Charge)。这款MOSFET符合RoHS标准和绿色环保要求,并且100%保证单脉冲雪崩能量(EAS)。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS):20V
    - 栅源电压 (VGS):±12V
    - 连续漏电流 (ID):
    - 在TC=25℃时:80A
    - 在TC=100℃时:59A
    - 脉冲漏电流 (IDM):360A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):110mJ
    - 功率耗散 (PD):81W
    - 热阻 (RθJA):65℃/W(结到壳)
    - 热阻 (RθJC):1.4℃/W(结到壳)
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):20V
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):0.50~1.0V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):
    - 在VGS=4.5V,ID=30A时:2.8~4.0mΩ
    - 在VGS=2.5V,ID=20A时:4.0~6.0mΩ
    - 零栅电压漏电流 (IDSS):≤1μA
    - 栅体泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 输入电容 (Ciss):3200pF
    - 输出电容 (Coss):460pF
    - 反向传输电容 (Crss):446pF
    - 总门极电荷 (Qg):11.05nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs):1.73nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):3.1nC
    - 开关时间特性:
    - 导通延时时间 (tD(on)):9.7ns
    - 开启上升时间 (tr):37ns
    - 关断延时时间 (tD(off)):63ns
    - 关闭下降时间 (tf):52ns
    - 二极管正向电压 (VSD):1.2V

    产品特点和优势


    WSD2090DN56 具备多项技术优势:
    - 高单元密度:先进的深槽技术提高了单元密度,确保在紧凑的空间内实现高效能。
    - 低栅极电荷:优秀的电学特性,降低了栅极电荷,有助于减少能耗。
    - 优秀的CdV/dt响应:在高频切换应用中表现出色。
    - 100% EAS保障:确保安全可靠的应用环境。
    - 绿色环保:可选绿色装置,满足环保需求。

    应用案例和使用建议


    WSD2090DN56 主要应用于电源系统、负载开关和同步降压转换器等场景。为了充分发挥其性能,建议遵循以下几点:
    - 确保电路板的设计能够有效散热,以避免过热现象。
    - 选用合适的驱动电路,以确保可靠的栅极控制。
    - 严格遵守数据表中的参数限制,防止超过最大额定值。

    兼容性和支持


    WSD2090DN56 具备广泛的兼容性,可以与多种其他电子元器件和设备配合使用。厂商提供详尽的技术支持和维护服务,以帮助用户更好地利用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 如何避免过热?
    - 确保良好的散热设计,使用散热片或风扇等辅助散热措施。

    2. 怎样选择合适的驱动电路?
    - 根据应用需求选择合适的驱动电路,建议采用专业的MOSFET驱动芯片。
    3. 出现不稳定的现象怎么办?
    - 检查电路连接是否正确,确保所有参数均在规定范围内。

    总结和推荐


    WSD2090DN56 具有出色的技术特性和广泛的应用范围,非常适合需要高性能、低功耗的电力电子系统。综合来看,这是一款值得推荐的优质产品。然而,用户在使用前应仔细阅读技术手册,确保所有参数都在允许范围内,以避免潜在的风险。

WSD2090DN56参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8Ω@4.5V,30A
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 11.05nC@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 80A
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
通用封装 DFN5X6-8L

WSD2090DN56数据手册

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WSD2090DN56封装设计

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