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WSE3088

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1.8W 20V 1.5V@ 250uA 10.5NC 2个N沟道 30V 28mΩ@ 4.5V,7A 7A 1.2nF SOT-89-3L 贴片安装
供应商型号: 31M-WSE3088
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSE3088

WSE3088概述

    WSE3088 N-Ch MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WSE3088 是一款由 Winsok 提供的高性能 Trench N-Ch MOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频点对点同步降压转换器及各种小型功率开关应用。它具有高密度单元技术和卓越的栅极电荷特性,特别适合用于移动设备(如笔记本电脑、UMPC、VGA)的电源管理以及网络 DC-DC 电源系统和负载开关应用。

    技术参数


    以下是根据技术手册中提取的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS(漏源电压) | - | 30 | - | V |
    | VGS(栅源电压) | ±20 V |
    | ID@25℃(连续漏电流) | - | 7.0 A |
    | ID@70℃(连续漏电流) | - | 5.5 A |
    | IDM(脉冲漏电流) | - | 28 A |
    | RDS(ON)@4.5V | - | 23 | 28 | mΩ |
    | RDS(ON)@2.5V | - | 31 | 38 | mΩ |
    | BVDSS(击穿电压) | 30 | - | - | V |
    | EAS(单脉冲雪崩能量) | 7 | - | - | mJ |
    | RθJA(热阻-环境) | - | 70 | - | ℃/W |
    | RθJC(热阻-芯片) | - | 30 | - | ℃/W |

    产品特点和优势


    1. 高密度单元技术:采用先进的高密度 Trench 技术,提升效率。
    2. 超低栅极电荷:优秀的低栅极电荷特性减少开关损耗。
    3. 出色的 dv/dt 效应:在高频应用下表现优秀。
    4. 环保设备:符合 RoHS 和绿色环保标准。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于移动设备电源管理、网络 DC-DC 电源系统、负载开关等。
    - 使用建议:考虑到高温下的连续工作性能,建议进行适当的散热处理,避免长期运行超过最大额定值。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSE3088 适用于多种设备和电路设计,可与现有的标准 SOT-89 封装兼容。
    - 支持:Winsok 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品规格更新和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 高温下性能下降:通过良好的散热措施改善性能。
    2. 过流保护不足:在电路设计中增加适当的过流保护机制。
    3. 封装不良导致接触问题:确保正确的焊接工艺以提高可靠性。

    总结和推荐


    综上所述,WSE3088 在高频、低功耗应用方面表现出色,具备高密度单元技术和优越的栅极电荷特性,非常适合于移动设备的电源管理和网络 DC-DC 电源系统的建设。建议在进行高可靠性和高性能需求的应用时选择 WSE3088。

WSE3088参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250uA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 7A
配置 -
最大功率耗散 1.8W
栅极电荷 10.5NC
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 4.5V,7A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 2个N沟道
通用封装 SOT-89-3L
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WSE3088数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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WSE3088封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.3166
50+ ¥ 1.0881
150+ ¥ 0.9786
1000+ ¥ 0.7248
2000+ ¥ 0.6722
5000+ ¥ 0.6388
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