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WSD2209DN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WSD2209DN
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD2209DN

WSD2209DN概述


    产品简介


    WSD2209DN 高性能双P沟道MOSFET
    WSD2209DN 是一款高性能的沟槽式P沟道MOSFET,专为高频点对点同步降压转换器而设计。它适用于移动设备(如笔记本电脑、超便携电脑)、网络DC-DC电源系统及负载开关等领域。WSD2209DN 具备出色的低导通电阻(RDSON)和门极电荷特性,能够在多种同步降压转换器应用中表现出色。

    技术参数


    | 参数符号 | 参数条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏-源电压 | -20 V |
    | VGS | 门-源电压 | ±10 V |
    | ID@TC=25℃ | 连续漏电流,VGS @ -10V1 | -7.5 A |
    | ID@TC=100℃ | 连续漏电流,VGS @ -10V1 | -4.5 A |
    | IDM | 脉冲漏电流 -25 | A |
    | PD@TC=25℃ | 总功率耗散,TC=25℃ 2.5 W |
    | PD@TA=25℃ | 总功率耗散,TA=25℃ 1.6 | 1.7 | W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 150 | ℃ |

    产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:WSD2209DN 使用先进的高密度沟槽技术,提供卓越的RDSON和门极电荷性能。
    - 超低门极电荷:这使得器件在快速切换时具有更低的能耗。
    - 优秀的CdV/dt效应衰减:保证了更好的热稳定性和可靠性。
    - 绿色设备:符合RoHS和绿色环保要求,确保无害化生产。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 移动设备电源管理:适用于笔记本电脑、超便携电脑的点对点同步降压转换器。
    - 网络设备:应用于数据中心的DC-DC电源系统。
    - 负载开关:实现高效能的开关控制。
    使用建议
    - 在使用过程中注意保持环境温度不超出最大工作温度范围,以避免因过热导致性能下降。
    - 选择合适的散热措施,如加装散热片或风扇,确保器件正常运行。
    - 注意器件的安装方式,确保良好的电气连接和散热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSD2209DN 可以与多种主流的电子设备和模块兼容,适用于广泛的电路设计。
    - 支持和维护:Winsok Semiconductor 提供详尽的技术文档和客户支持服务,确保用户能够顺利进行应用开发和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备在高温环境下性能下降。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,必要时增加散热片或外部风扇。
    - 问题2:器件工作时温度过高。
    - 解决方案:检查散热系统,确保良好的空气流通,避免长时间满载工作。
    - 问题3:输出电流不稳定。
    - 解决方案:检查输入电压和电流是否稳定,确保外围电路的正确连接。

    总结和推荐


    WSD2209DN 是一款非常出色的高性能P沟道MOSFET,具有出色的RDSON和门极电荷性能,广泛适用于移动设备和网络设备的电源管理系统。其具备先进的高密度沟槽技术和绿色生产,符合RoHS标准,是一款值得推荐的产品。建议用户在设计和应用时,注意合理的散热设计和正确的使用方法,以充分发挥其性能优势。

WSD2209DN参数

参数
FET类型 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 DFN-8

WSD2209DN数据手册

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WSD2209DN封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.2656
50+ ¥ 1.1911
150+ ¥ 1.0631
500+ ¥ 0.7966
5000+ ¥ 0.7668
15000+ ¥ 0.7444
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