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WSK140N08

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WSK140N08 TO-263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSK140N08

WSK140N08概述


    产品简介


    WSK140N08 N-Ch MOSFET 是一款高性能的沟槽式N通道MOSFET,具有极高的单元密度。这款产品特别适用于同步降压转换器,因为它提供了出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSK140N08 的主要功能是为电源管理提供高效能解决方案,广泛应用于逆变系统中。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDSS):80V
    - 栅源电压 (VGSS):±25V
    - 最大结温 (TJ):175°C
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 到 175°C
    - 连续源极电流 (IS):140A(TC=25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):762mJ(VD=64V)
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):80V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):≤10µA(TJ=85°C)
    - 栅阈电压 (VGS(th)):2.0V 至 4.0V
    - 栅泄漏电流 (IGSS):±100nA(VGS=±25V, VDS=0V)
    - 导通电阻 (RDS(ON)):4.8mΩ(VGS=10V, IDS=70A)
    - 门电阻 (RG):1.6Ω(VGS=0V, VDS=0V, F=1MHz)
    - 热阻抗:
    - 结至壳体 (RθJC):0.61°C/W
    - 结至环境 (RθJA):62.5°C/W

    产品特点和优势


    WSK140N08 N-Ch MOSFET 具备多项独特功能和优势:
    - 先进的高密度沟槽技术:确保高效的开关性能。
    - 超低栅极电荷:减少能耗,提高效率。
    - 优秀的CdV/dt效应下降:提升瞬态响应能力。
    - 100% EAS保证:确保安全可靠的操作。
    - 绿色装置可用:符合环保要求。
    这些特点使得 WSK140N08 在同步降压转换器和其他高功率应用中表现出色,提升了系统的整体性能和可靠性。

    应用案例和使用建议


    WSK140N08 广泛应用于各种高功率应用中,例如逆变系统。以下是一些实际使用建议:
    - 在设计电路时,确保选择合适的散热片以降低结温。
    - 注意过载保护:当负载电流过大时,及时采取措施避免过热损坏。
    - 合理布局电路板:减少寄生电容的影响,提高效率。

    兼容性和支持


    WSK140N08 与多种标准接口兼容,方便集成到现有系统中。Winsok提供全面的技术支持,包括产品文档、样品和现场技术支持。用户可以通过Winsok官网获取详细资料和技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免因高温导致的产品失效?
    - 解决方法:确保良好的散热设计,使用散热片并保持适当的通风条件。

    2. 问题:如何降低导通电阻?
    - 解决方法:在合适的栅源电压下操作,确保电压设置正确。

    3. 问题:如何避免栅极电荷引起的干扰?
    - 解决方法:使用合适的门电阻值,并确保电路的稳定性和抗干扰能力。

    总结和推荐


    总体而言,WSK140N08 N-Ch MOSFET 是一款非常适合高功率应用的高效能产品。其卓越的性能、可靠性和广泛的应用场景使其成为许多工业应用的理想选择。推荐在需要高性能和可靠性的系统中采用 WSK140N08。

WSK140N08参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
FET类型 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263-2L

WSK140N08数据手册

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WSK140N08封装设计

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