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WST6004

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 140mΩ@ 4.5V,0.6A 600mA SOT-523-3L
供应商型号: WST6004 SOT-523-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST6004

WST6004概述

    WST6004 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WST6004 是一款高性能的沟槽式N-通道MOSFET,具有极高的单元密度,提供卓越的导通电阻(RDSON)和栅极电荷,适用于大多数小型电源转换和负载开关应用。它符合RoHS和绿色产品要求,并通过全面的功能可靠性验证。这款MOSFET可用于替换数字晶体管,在手机、寻呼机等设备中作为负载/功率开关使用。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 标准值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | 20 | V |
    | 栅源电压(VGS) | ±8 | V |
    | 连续漏电流(TA=25℃) | 600 | mA |
    | 连续漏电流(TA=70℃) | 300 | mA |
    | 脉冲漏电流(IDM) | 3 | A |
    | 总功率耗散(PD)(TA=25℃)| 0.175 | W |
    | 储存温度范围(TSTG) | -55至150| ℃ |
    | 工作结温范围(TJ) | -55至150| ℃ |
    | 热阻(RθJA) | 1至625 | ℃/W |
    | 导通电阻(RDS(ON)) | 140 | mΩ |
    | 栅阈电压(VGS(th)) | 0.35 | V |
    | 前向跨导(gfs) | 880 | mS |
    | 开启延迟时间(Td(on)) | 6 | ns |
    | 关断延迟时间(Td(off)) | 28 | ns |
    | 下降时间(Tf) | 18 | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 高开关速度:适合需要快速切换的应用场合。
    - 高可靠性:通过RoHS和绿色产品认证,适用于多种电源转换电路。
    - 出色的RDSON:较低的导通电阻保证了高效能。
    - 广泛的适用性:适用于负载/功率开关、手机、寻呼机等多种应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源转换电路:在手机充电器或适配器中使用,以提高转换效率。
    - 负载/功率开关:应用于便携式设备中,确保开关过程中的稳定性和效率。

    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,注意温度对RDS(ON)的影响。
    - 使用过程中,确保电路板的设计能够有效地散热。

    5. 兼容性和支持


    WST6004 与标准SOT-523封装兼容,方便集成到现有设计中。Winsok公司提供详尽的技术支持和维护服务,确保用户能够充分发挥其性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何应对高温环境?
    - A: 确保适当的散热措施,避免结温超过150℃。
    - Q: 高频应用中表现如何?
    - A: WST6004具备优秀的高频开关性能,但需注意电路布局和驱动信号的质量。

    7. 总结和推荐


    WST6004是一款高性能的N-通道MOSFET,具备出色的RDSON和快速开关能力,广泛适用于电源转换和负载开关应用。其高可靠性和兼容性使其成为众多电子设计的理想选择。我们强烈推荐在相关应用中使用此产品。
    请注意,以上内容基于提供的技术手册进行整理和总结。

WST6004参数

参数
配置 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ@ 4.5V,0.6A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 600mA
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOT-523-3L

WST6004数据手册

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WST6004封装设计

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