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WSF30150

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSF30150 TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF30150

WSF30150概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    WSF30150是一款高性能的N沟道MOSFET,采用先进的高密度沟槽技术制造。其主要功能是在同步降压转换器中提供优秀的RDSON(导通电阻)和栅极电荷,适用于多种电源管理应用。该产品符合RoHS和绿色产品标准,保证了100%的最大单脉冲雪崩能量(EAS)。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):30V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID@TC=25℃):110A
    - 连续漏极电流 (ID@TC=100℃):68A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):192A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):144.7mJ
    - 总功耗 (PD@TC=25℃):62.5W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 至 150°C
    - 工作结温范围 (TJ):-55°C 至 150°C
    - 热阻 (RθJA):62°C/W(稳态),25°C/W(瞬态)
    - 热阻 (RθJC):2.4°C/W

    产品特点和优势


    - 高级高密度沟槽技术:提供了优秀的导通电阻和栅极电荷。
    - 超低栅极电荷:减少了驱动损耗。
    - 出色的CdV/dt效应下降:提高了开关速度和效率。
    - 100% EAS保证:确保了产品的可靠性和稳定性。
    - 绿色环保设备:符合RoHS标准,无铅设计。

    应用案例和使用建议


    WSF30150主要应用于同步降压转换器中,用于负载开关等场合。在实际使用中,建议根据具体的应用需求选择合适的驱动电路和散热措施,以保证其最佳性能和长期可靠性。

    兼容性和支持


    WSF30150可与多种电源管理电路和系统兼容,厂商提供详细的技术支持和售后服务,以帮助客户解决问题和优化系统性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下工作不稳定。
    - 解决方案:确保散热措施良好,使用大尺寸散热片或风扇来降低工作结温。
    2. 问题:产品的漏电流过大。
    - 解决方案:检查外部电路连接和驱动条件,确保正确的栅极驱动电压和电阻设置。
    3. 问题:产品在高频应用中表现不佳。
    - 解决方案:优化外部电路布局,减少寄生电感和电容的影响,提高信号完整性。

    总结和推荐


    WSF30150以其出色的导通电阻、栅极电荷和高可靠性,成为同步降压转换器中的理想选择。其广泛的温度适应范围和强大的单脉冲雪崩能量保证使其在各种恶劣环境中都能稳定工作。推荐在需要高效率、高可靠性的电源管理系统中使用该产品。
    以上是基于提供的数据表和技术手册生成的文章,涵盖了产品的主要特点、技术参数和应用建议等内容。希望这些信息能帮助您更好地了解和使用WSF30150。

WSF30150参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-252-2L

WSF30150数据手册

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WSF30150封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ ¥ 1.6471
12500+ ¥ 1.5976
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