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WSK180N04

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 3.6Ω@10V,88A 180A TO-263-2L
供应商型号: WSK180N04 TO-263-2L
供应商: 期货订购
标准整包数: 800
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSK180N04

WSK180N04概述

    WSK180N04 Trench N-Ch MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WSK180N04 是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度。这种MOSFET主要适用于同步降压转换器,是电源管理和逆变系统中的关键部件。它的基本功能包括作为开关器件进行快速切换,具有较低的导通电阻(Rdson),能够满足各种功率管理应用的需求。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDSS):40V
    - 最大栅源电压 (VGSS):±20V
    - 漏电流 (ID):180A @ 25°C,120A @ 100°C
    - 导通电阻 (RDS(ON)):3.0mΩ @ 10V
    - 栅电荷 (Qg):121nC
    - 门级电阻 (RG):1.1Ω
    - 输入电容 (Ciss):4426pF
    - 输出电容 (Coss):1027pF
    - 反向传输电容 (Crss):537pF
    - 热阻 (RθJA):62.5°C/W

    产品特点和优势


    WSK180N04 的主要特点包括:
    - 高密度沟槽技术
    - 极低的栅极电荷
    - 卓越的CdV/dt效应下降
    - 100% EAS保证
    - 绿色设备可选
    这些特点使其在同步降压转换器和电源管理系统中表现出优异的性能。尤其是低导通电阻和低栅极电荷,使得该MOSFET在高频切换应用中非常高效。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于同步降压转换器,实现高效的电压转换。
    - 在逆变系统中进行功率管理,确保稳定的电力供应。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑散热问题,合理选择散热片。
    - 注意不要超过最大额定值,以避免损坏设备。
    - 使用适当的保护电路,以防止瞬态电压对MOSFET造成损害。

    兼容性和支持


    WSK180N04 采用TO-263-2L封装,适合多种标准电路板。厂商提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备过热怎么办?
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或改进电路布局。

    - 问题2:设备无法正常工作怎么办?
    - 解决方案:检查连接是否正确,确保没有接错线;确认电源和信号是否符合要求。

    总结和推荐


    WSK180N04 是一款高性能的MOSFET,适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。其卓越的电气特性和坚固的设计使其在市场上具有很强的竞争力。推荐在同步降压转换器和逆变系统中使用该产品,特别是在需要严格控制电源和电压的应用中。
    通过综合评估,该产品在性能、可靠性和易用性方面表现优异,是一款值得推荐的电子元器件产品。

WSK180N04参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.6Ω@10V,88A
Id-连续漏极电流 180A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-263-2L

WSK180N04数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSK180N04 WSK180N04数据手册

WSK180N04封装设计

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