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WST2007

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST2007 SOT-363-6L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2007

WST2007概述

    WST2007 双 N-通道 MOSFET 技术手册

    产品简介


    WST2007 是一款高性能的双 N-通道沟槽型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频点负载同步小功率开关和负载开关应用设计。这款器件采用先进的高密度沟槽技术,具有超低门极电荷和出色的 Cdv/dt 效应下降特性,符合 RoHS 和绿色环保产品标准。它适用于笔记本电脑、微型便携式电脑(UMPC)、显示器适配器(VGA)以及网络直流-直流电源系统等场合。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS):20 V
    - 最大栅源电压(VGS):±8 V
    - 连续漏极电流(ID@TA=25℃):1.4 A
    - 连续漏极电流(ID@TA=70℃):1.1 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):7.2 A
    - 总功耗(PD@TA=25℃):0.33 W
    - 存储温度范围(TSTG):-55 至 150 ℃
    - 工作结温范围(TJ):-55 至 150 ℃
    - 热阻(RθJA):1 至 375 ℃/W
    - 热阻(RθJC):1 至 240 ℃/W
    - 导通电阻(RDS(ON)):在 VGS=4.5V 时为 140 mΩ
    - 栅阈值电压(VGS(th)):0.3 至 1 V
    - 反向恢复时间(trr):3.9 ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):1.04 nC
    - 输入电容(Ciss):204 至 286 pF
    - 输出电容(Coss):43.6 至 61 pF
    - 逆向传输电容(Crss):30 至 42 pF

    产品特点和优势


    1. 先进高密度沟槽技术:WST2007 采用先进的沟槽工艺,提高了器件的可靠性。
    2. 超低门极电荷:有助于减少开关损耗,提高能效。
    3. 优秀的 Cdv/dt 效应下降:减少了电磁干扰,提高了系统的稳定性。
    4. 绿色环保:符合 RoHS 和其他环保标准,减少对环境的影响。
    5. 多功能性和高可靠性:适用于多种小功率开关和负载开关应用。

    应用案例和使用建议


    WST2007 适用于多种小功率开关和负载开关应用,如笔记本电脑电源管理、微型便携式电脑(UMPC)适配器以及网络直流-直流电源系统。例如,在笔记本电脑电源管理中,它可以有效地进行电压调节,以满足不同负载的需求。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,应在规定的电压和电流范围内使用该器件。在设计电路时,需考虑散热问题,尤其是在高温环境下。此外,合理选择栅极电阻(Rg)可以进一步优化开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WST2007 与大多数标准 PCB 设计兼容。具体安装指南和注意事项可以在技术手册中找到。
    - 支持和服务:Winsok 提供详尽的技术文档和客户支持服务。如果您有任何问题,建议联系当地 Winsok 客户代表寻求帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间过载是否会损坏器件?
    - 解决方案:为了避免过热损坏,应在规定的最大功耗范围内使用。如果需要长时间工作于高负荷状态,建议采取额外的散热措施。
    - 问题2:如何优化开关性能?
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻(Rg),并通过降低栅极电荷来优化开关速度。此外,优化散热设计也是关键因素之一。

    总结和推荐


    WST2007 是一款性能优异的 N-通道 MOSFET,特别适合应用于高频小功率开关和负载开关中。它的超低门极电荷和优秀的 Cdv/dt 效应下降特性使其在各种应用场景中表现出色。总的来说,我们强烈推荐 WST2007 给需要高性能、高可靠性的电子设计师和制造商。

WST2007参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOT-363-6L

WST2007数据手册

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WST2007封装设计

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