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WSF2060

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSF2060 TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF2060

WSF2060概述

    WSF2060 N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型: N沟道MOSFET
    主要功能:
    - 高速点对点同步降压转换器,适用于移动笔记本电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超移动个人电脑(UMPC)和视频图形阵列(VGA)
    - 网络DC-DC电源系统
    - 负载开关
    应用领域: 移动计算、网络设备、电源管理系统

    2. 技术参数


    - VDS (漏源电压): 20 V
    - VGS (栅源电压): ±12 V
    - ID@TC=25℃ (连续漏电流, VGS @ 10V): 60 A
    - ID@TC=100℃ (连续漏电流, VGS @ 10V): 42 A
    - IDM (脉冲漏电流): 210 A
    - EAS (单脉冲雪崩能量): 200 mJ
    - IAS (雪崩电流): 41 A
    - PD@TC=25℃ (总功率耗散): 60 W
    - TSTG (存储温度范围): -55 至 150 ℃
    - TJ (工作结温范围): -55 至 150 ℃
    - RθJA (热阻, 结到环境,稳态): 62 ℃/W
    - RθJA (热阻, 结到环境,t ≤ 10s): 25 ℃/W
    - RθJC (热阻, 结到外壳): 2.1 ℃/W
    - RDSON (静态漏源导通电阻): 3.9 mΩ (VGS=4.5V, ID=30A)
    - VGS(th) (栅阈值电压): 0.75 V (VGS=VDS, ID=250uA)
    - △BVDSS/△TJ (BVDSS 温度系数): 0.028 V/℃
    - △VGS(th)/△TJ (VGS(th) 温度系数): -6.16 mV/℃
    - Qg (总栅极电荷): 27 nC (VDS=15V, VGS=4.5V, ID=15A)

    3. 产品特点和优势


    - 高密度沟槽技术: 极高的单元密度提供了优秀的RDSON和栅极电荷。
    - 超低栅极电荷: 降低功耗,提高效率。
    - 优秀的CdV/dt效果下降: 改善动态响应。
    - 100% EAS保证: 完全的功能可靠性认证。
    - 绿色设备可用: 符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高速点对点同步降压转换器: 用于移动笔记本电脑和其他便携式设备。
    - 网络DC-DC电源系统: 在数据中心和网络基础设施中广泛应用。
    - 负载开关: 用于电源管理系统的快速切换。
    使用建议:
    - 注意散热设计: 由于功率耗散较高,确保使用良好的散热机制以避免过热。
    - 选择合适的驱动电路: 根据应用需求选择合适的驱动电压和电阻,以优化性能。
    - 考虑热阻特性: 使用低热阻连接方法以减少热阻,确保MOSFET正常工作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: WSF2060 MOSFET 可与其他标准电源管理IC和控制器兼容,用于构建高效的电源管理系统。
    - 支持: 赢斯科公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品选型指南和技术咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题: 为什么漏源电压(VDS)有限制?
    - 解决方案: 检查应用中的最大工作电压是否超过限制,必要时使用更高的耐压MOSFET。
    2. 问题: 如何减少开关损耗?
    - 解决方案: 选择较低RDSON值的MOSFET,或者增加栅极驱动电压以加快开关速度。
    3. 问题: 如何提高效率?
    - 解决方案: 减少栅极电荷,选择低RDSON值的MOSFET,并确保良好的散热设计。

    7. 总结和推荐


    WSF2060 N-Ch MOSFET 是一款高性能、高密度的MOSFET,具有出色的RDSON和栅极电荷特性,适用于各种高频应用。它符合RoHS标准并提供完整的功能可靠性认证,是现代电源管理和转换系统的理想选择。基于其出色的性能和广泛的应用领域,强烈推荐在高频点对点同步降压转换器和其他需要高可靠性的应用中使用。
    以上是对WSF2060 N-Ch MOSFET的详细介绍,涵盖了其基本特性、技术参数、特点和优势、应用案例、兼容性、支持以及常见问题和解决方案。希望这些信息能帮助您更好地理解和使用这款高性能的MOSFET。

WSF2060参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252-2L

WSF2060数据手册

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WSF2060封装设计

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