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WSF3013B

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSF3013B TO-252-4L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF3013B

WSF3013B概述


    产品简介


    WSF3013B N-Ch 和 P-Channel MOSFET
    WSF3013B 是一种高性能的沟槽式 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度。它特别适用于高频点对点同步降压转换器、网络 DC-DC 电源系统及冷阴极荧光灯(CCFL)背光逆变器等领域。该产品符合 RoHS 和绿色环保要求,适用于笔记本电脑、微型笔记本电脑、超移动个人电脑(UMPC)及视频图形阵列(VGA)等多种应用场景。

    技术参数


    主要

    技术参数


    | 参数 | N-Ch 沟道 | P-Ch 沟道 |
    |::|::|::|
    | 漏源电压 \(V{DS}\) | 30 V | -30 V |
    | 栅源电压 \(V{GS}\) | ±20 V | ±20 V |
    | 连续漏极电流 \(ID\) (Tc=25℃) | 22 A | -19 A |
    | 连续漏极电流 \(ID\) (Tc=100℃) | 10 A | -8 A |
    | 总功耗 \(PD\) (Tc=25℃) | 18 W | 18 W |
    | 存储温度范围 \(T{STG}\) | -55 至 150 ℃ | -55 至 150 ℃ |
    | 工作结温范围 \(TJ\) | 150 ℃ | 150 ℃ |
    | 热阻 \(R{\theta JA}\) | 62 ℃/W | 62 ℃/W |
    | 热阻 \(R{\theta JC}\) | 5.0 ℃/W | 5.0 ℃/W |
    | 击穿电压 \(BVDSS\) | 30 V | -30 V |
    | 导通电阻 \(R{DSON}\) | 15 mΩ | 25 mΩ |
    | 最大脉冲漏极电流 \(I{DP}\) | 52 A | -45 A |
    电气特性
    - 高频点对点同步降压转换器
    - 网络 DC-DC 电源系统
    - CCFL 背光逆变器

    产品特点和优势


    WSF3013B 具备多项独特的技术优势:
    1. 高级高密度沟槽技术:提供了卓越的导通电阻 \(R{DSON}\) 和栅极电荷。
    2. 超低栅极电荷:有效降低了栅极电荷的影响。
    3. 优秀的 \(\frac{dV}{dt}\) 效应下降:保证了良好的动态性能。
    4. 100% EAS 保证:确保可靠性的全功能可靠性认证。
    5. 绿色装置可用:符合环保标准,可完全回收。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 高频点对点同步降压转换器:用于笔记本电脑、微型笔记本电脑、超移动个人电脑(UMPC)及视频图形阵列(VGA)。
    2. 网络 DC-DC 电源系统:适用于数据中心和通信设备中的电源转换。
    3. CCFL 背光逆变器:广泛应用于显示器和电视设备中。
    使用建议
    1. 散热设计:由于其较高的热阻,需要设计有效的散热方案以避免过热。
    2. 驱动电路:为确保稳定的栅极驱动信号,应选择合适的栅极电阻。
    3. 输入输出电容:选择合适的输入输出电容以降低开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSF3013B 与其他主流控制器和驱动器兼容,可广泛应用于多种电子设备中。
    - 支持和维护:Winsok Semiconductor 提供详细的技术文档和在线支持,确保用户能够获得最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下,MOSFET 发生过热。
    - 解决方案:增加散热片,优化 PCB 设计,减少发热。
    2. 问题:驱动信号不稳定,导致栅极电荷过高。
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻,调整驱动电路,确保稳定信号。
    3. 问题:设备在启动时出现短暂的电压突变。
    - 解决方案:检查并优化输入电容,确保稳定的供电。

    总结和推荐


    WSF3013B 在高密度、高性能的应用中表现出色,特别是在高频同步降压转换器和网络 DC-DC 电源系统中具有显著的优势。其出色的电气特性和可靠的设计使其成为众多应用场景的理想选择。强烈推荐给需要高性能、高可靠性的电子设备制造商。

WSF3013B参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252-4

WSF3013B数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSF3013B WSF3013B数据手册

WSF3013B封装设计

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7500+ ¥ 0.7294
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